TPS51100 3A 拉/灌 DDR 端接稳压器数据手册

TPS51100 是一款 3A 灌电流/拉电流跟踪终端稳压器。该设备是 专为空间有限的低成本、低外部元件数系统而设计 奖赏。

该TPS51100保持快速瞬态响应，仅需 20 μF（2 × 10 μF）的 陶瓷输出电容。TPS51100 支持遥感功能和所有功能 需要根据 JEDEC 规范为 DDR 和 DDR2 VTT 总线终端供电。这 该器件还支持 DDR3 VTT 端接，VDDQ 电压为 1.5 V（典型值）。此外，TPS51100 包括集成的睡眠状态控制、在 S3 中将 VTT 置于 Hi-Z（暂停到 RAM）和软关闭 对于 S5 中的 VTT 和 VTTREF（挂起到磁盘）。TPS51100 的热效率 10 引脚 MSOP PowerPAD™ 封装，额定温度范围为 –40°C 至 85°C。
*附件：tps51100.pdf

特性

• 输入电压范围：4.75 V 至 5.25 V
• VLDOIN 电压范围：1.2 V 至 3.6 V
• 3A 灌电流/拉电流端接稳压器
  包括压降补偿
• 仅需 20μF 陶瓷输出
  电容
• 支持 S3 中的 Hi-Z 和 S5 中的 Soft-Off
• 1.2V 输入 （VLDOIN） 有助于降低总
  功耗
• 集成分频器可跟踪 VTT 和 VTTREF 的
  0.5 VDDQSNS
• 遥感 （VTTSNS）
• VTT 和 VTTREF 的精度为 ±20mV
• 10mA 缓冲基准 （VTTREF）
• 内置软启动、UVLO 和 OCL
• 热关断
• 支持 JEDEC 规范

参数

方框图

一、概述

TPS51100是一款专为DDR、DDR2、DDR3内存系统设计的3A源/汇跟踪终端调节器。它集成了高性能、低压差线性调节器（LDO），能够提供快速的瞬态响应，并支持JEDEC规范。TPS51100适用于需要低成本和低外部组件数的系统，如笔记本电脑。

二、核心特性

1. 源/汇能力

• ‌3A电流能力‌：TPS51100能够源出或吸入高达3A的电流，满足DDR内存系统的需求。
• ‌快速瞬态响应‌：采用快速响应反馈回路，即使在小陶瓷电容下也能保持对VTTREF的跟踪在±40mV以内。

2. VTTREF缓冲参考输出

• ‌10mA输出能力‌：VTTREF块包含一个1/2分压器、低通滤波器（LPF）和缓冲器，能够提供高达10mA的源电流。
• ‌稳定操作‌：通过0.1μF陶瓷电容旁路到GND，确保VTTREF的稳定输出。

3. 控制与保护功能

• ‌S3和S5控制‌：支持S3（suspend to RAM）和S5（suspend to disk）状态控制，将VTT置于高阻态或软关闭状态。
• ‌软启动‌：通过电流钳位实现软启动功能，避免启动时的浪涌电流。
• ‌过流保护‌：具有恒定的过流限制（OCL），在异常情况下保护LDO。
• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：监测VIN电压，当电压低于阈值时关闭VTT调节器。
• ‌热关机‌：监测IC温度，超过阈值时关闭VTT和VTTREF调节器。

4. 低外部组件需求

• ‌仅需20μF陶瓷输出电容‌：简化设计，减少板上空间占用。
• ‌远程感应‌：提供VTTSNS引脚，实现远程感应功能，以最小化布线电阻的影响。

三、应用

• ‌DDR/DDR2/DDR3内存系统‌：为DDR、DDR2、DDR3内存提供VTT总线终止电压。
• ‌SSTL-2、SSTL-18和HSTL终止‌：支持多种信号标准的终止。

四、封装与尺寸

• ‌封装‌：采用10引脚MSOP PowerPAD™封装，尺寸为3.00mm x 3.00mm。
• ‌热效率‌：PowerPAD封装提供良好的热传导性能，有助于散热。

五、设计指南

• ‌电容选择‌：推荐在VTT输出端使用两个并联的10μF陶瓷电容，以最小化ESR和ESL的影响。
• ‌布局建议‌：提供详细的布局指南，包括电容放置、感应引脚连接等，以确保最佳性能。
• ‌热设计‌：讨论了热考虑因素，包括功率耗散计算和热阻对布局的影响。

六、文档支持

• 提供数据手册、应用指南、技术文档和软件工具，帮助用户进行设计、验证和测试。

七、注意事项

• 在设计和使用过程中，需严格遵守绝对最大额定值和推荐工作条件。
• 注意处理静电敏感器件，防止静电损坏。
• 在实际应用中，需根据具体需求进行电容选择和布局设计，以确保系统的稳定性和可靠性。