破局SiC封装瓶颈 | 攻克模组失效分析全流程问题

碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，凭借其高功率密度、优异的耐高温性能和高效的功率转换能力，在新能源汽车、5G通信、数据中心等领域展现出巨大的应用潜力。然而，先进封装的SiC功率模组在失效分析方面面临诸多挑战，尤其是在化学开封、X-Ray和声扫等测试环节，国内技术尚不成熟。基于此，广电计量集成电路测试与分析研究所推出了先进封装SiC功率模组失效分析技术，成功攻克了模组失效分析的全流程问题，填补了国内在该领域的技术空白，推动SiC功率模组的广泛应用。

攻克多样技术难题 建立全流程解决方案

针对先进封装SiC功率模组在失效分析中的技术难题，集成电路测试与分析研究所研发了针对SiC功率模组的化学开封技术、单芯片激光开封技术、器件减薄技术等多项创新方案，成功解决了模组开封后芯片电极完整性差、X-Ray和声扫测试困难等问题。

（1）化学开封技术：通过在不同温度和配比条件下寻找最优的开封条件，确保芯片表面电极结构的完整性，解决了模组开封后芯片电极易损坏的难题。

（2）单芯片激光开封技术：针对模组开封面积大的情况，提出单芯片激光开封和单方向腐蚀的方式，精准控制塑封料的腐蚀进程，最大程度保留芯片表面结构。

（3）器件减薄技术：通过减薄器件，解决了先进封装模组在X-Ray和声扫测试中的难题，提升了测试的准确性和可靠性。

此外，团队还搭建了芯片失效分析数据库，将芯片的失效现象与失效逻辑相对应，成功攻克了模组失效分析的全流程问题，为SiC功率模组的可靠性评估提供了强有力的技术支持。

服务优势

·扩展服务范围：填补国内先进封装SiC功率模组失效分析的技术空白，提供全面的物理分析与失效分析服务。

·提高检测效率：通过激光开封精准控制与减薄技术，缩短模组开封和测试时间，提升失效分析的效率。

·提高检测精度：采用物理减薄手段优化X-Ray和声扫测试条件，提升检测分辨率与可靠性。

SiC功率模组全流程解决方案 助力产业升级

针对先进封装的SiC功率模组在失效分析方面的测试难点，广电计量建立了先进封装SiC功率模组失效分析技术，确保了测试的可靠性和精确性，可广泛用于新能源汽车、5G通信、数据中心、第三代半导体等领域SiC功率模组的可靠性与失效分析。

服务领域	服务场景
新能源汽车	SiC功率模组的可靠性测试与失效分析
5G通信	高功率密度SiC模组的物理分析与失效分析
数据中心	SiC功率模组的动态参数测试与老化分析
第三代半导体	AEC-Q标准覆盖能力测试
根据客户需求定制个性化服务方案

集成电路测试与分析研究所

广电计量集成电路测试与分析研究所拥有各类高精尖分析仪器和专业技术团队，以技术引领市场，长期致力于元器件筛选及失效分析技术领域的科研和咨询服务，构建了包括元器件国产化验证与竞品分析、集成电路测试与工艺评价、半导体功率器件质量提升工程、车规级芯片与元器件AEC-Q认证、车规功率模块AQG 324认证等多个技术服务平台，满足装备制造、航空航天、汽车、轨道交通、5G通信、光电器件与传感器等领域的电子产品质量与可靠性的需求，能为客户提供专业化咨询、分析及培训等“一站式”服务，全面提升产品品质。