概述
HMC434是一款低噪声、静态、8分频预分频器单芯片微波集成电路(MMIC),利用磷化铟镓/砷化镓(InGaP/GaAs)异质结双极性晶体管(HBT)技术,采用超小型6引脚SOT-23表贴封装。
HMC434采用3 V单直流电源供电,工作频率范围为接近直流(方波)或200 MHz(正弦波)至8 GHz输入频率。
HMC434具有单端输入和输出,可减少元件数量并降低成本。100 kHz偏置时的低加性单边带(SSB)相位噪声为-150 dBc/Hz,有助于用户保持最佳系统噪声性能。
数据表:*附件:HMC434使用InGaP HBT技术,8分频,采用SMT封装技术手册.pdf
应用
- 直流至C频段PLL预分频器
- 甚小孔径终端(VSAT)无线电
- 免执照国家信息基础设施(UNII)和点对点无线电
- IEEE 802.11a和高性能无线电局域网(HiperLAN) WLAN
- 光纤产品
- 蜂窝/3G基础设施
特性
- 超低SSB相位噪声: -150 dBc/Hz
- 单端输入/输出
- 输出功率:-2 dBm(典型值)
- 单电源供电:3 V
- 超小型、2.90 mm × 2.80 mm、6引脚SOT-23表贴封装
框图
引脚配置描述
接口示意图
典型性能特征
应用信息:评估板印刷电路板
在应用中对所用印刷电路板(PCB)采用射频(RF)电路设计技术。确保信号线路在接地层连接时,其特性阻抗为50欧姆(见图14)。使用足够数量的过孔将顶层和底层接地层连接起来。
评估板有两个连接器,如图14所示。射频输入连接器(J1)和射频输出连接器(J2)是印刷电路板安装式SMA连接器。
评估板由单路3V电源供电;通过J3(VCC)和J4(GND)测试点连接此电源。评估板原理图和元件清单分别见图13和表5。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
分频器
+关注
关注
43文章
547浏览量
53886 -
GaAs
+关注
关注
3文章
894浏览量
25273 -
HBT
+关注
关注
0文章
156浏览量
16116 -
MMIC
+关注
关注
3文章
741浏览量
26457
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
HMC434 使用InGaP HBT技术,8分频,采用SMT封装,DC - 8 GHz
电子发烧友网为你提供ADI(ti)HMC434相关产品参数、数据手册,更有HMC434的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料,
发表于 02-22 15:08
HMC434:0.2 GHz至8 GHz,GaAs,HBT MMIC,除以8个预分频器数据表
HMC434:0.2 GHz至8 GHz,GaAs,HBT MMIC,除以8个预分频器数据表
发表于 05-16 14:47
•0次下载
HMC361S8G/361S8GE使用InGaP HBT技术,2分频,采用SMT封装,DC-10GHz技术手册
HMC361S8G(E)是一款低噪声2分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,
探秘HMC434:0.2 GHz至8 GHz GaAs HBT MMIC分频器的卓越性能
探秘HMC434:0.2 GHz至8 GHz GaAs HBT MMIC分频器的卓越性能 在电子工程领域,高性能的分频器对于众多应用至关重要
HMC434:0.2 GHz至8 GHz GaAs HBT MMIC除8预分频器的技术剖析
HMC434:0.2 GHz至8 GHz GaAs HBT MMIC除8预分频器的技术剖析 在电
HMC434:0.2 GHz 至 8 GHz GaAs HBT MMIC 除 8 预分频器深度解析
实现精确的频率控制和信号处理起着重要作用。今天,我们将深入探讨一款高性能的预分频器——HMC434,它采用 GaAs HBT MMIC 技术
HMC434使用InGaP HBT技术,8分频,采用SMT封装技术手册
评论