纳微半导体AI数据中心电源方案亮相2025慕尼黑上海电子展

众所周知，“80 PLUS”是用于评估并认证计算机和服务器内部电源效率的重要标准指标，而2011年推出的钛金作为其最严苛的效率标准，也于2025年1月，由最新的红宝石 “Ruby”标准替代。“红宝石”要求电源在原钛金标准下，所有负载条件下的系统效率额外提升1%（50%负载时提升0.5%），达到96.5%的效率新基准。

这一全新标准为行业指明了效率提升的路径，为数据中心应对云存储、商业领域需求演变及解决高负载AI计算对电网产生的巨大的压力提供了指南。例如，每台通过红宝石标准认证的3.2kW CRPS185电源在3年生命周期内，可节省高达420kWh电力，相当于减少超过400kg二氧化碳排放。

凭借着深厚的氮化镓和碳化硅技术积累，以及专设的数据中心设计中心的工程经验，纳微半导体成功推出了一系列AI数据中心和大规模计算专用的服务器电源产品，并均已成功超越最严苛的80PLUS红宝石标准。

今日，慕尼黑上海电子展于新国际博览中心盛大开幕！纳微半导体联手战略合作伙伴兆易创新，共同向观众描绘了最新AI数据中心电源技术路线图，首次向行业公开亮相12kW OCP服务器电源参考设计！

全球独家！行业首款12kW OCP电源

继全球首发8.5kW OCP电源后，纳微再次刷新服务器电源天花板高度，在本次慕尼黑上海电子展全球首秀12kW OCP电源。该方案采用了纳微GaNSafe高功率氮化镓功率芯片和GeneSiC第三代快速碳化硅功率器件混合设计，并结合兆易创新GD32G5系列先进MCU，以85W/in³的超高功率密度和超97.5%的峰值效率，不仅轻松超越最新80 PLUS红宝石标准，更重要的是其能使数据中心和超大规模运营商能够实现单机架120kW的超高功率密度。

该电源针对AI数据中心优化的输出电压为50V的服务器电源，符合开放计算项目（OCP）和开放机架v3（ORv3）规范。

创新亮点

创新拓扑：基于纳微第三代快速碳化硅MOSFET打造的50 kHz三相交错连续导通模式（CCM）图腾柱PFC拓扑，配合120kHz三相全桥LLC架构及GaNSafe氮化镓功率芯片，实现超高效率、精简元件数量，并显著降低纹波电流和电磁干扰（EMI）。

行业首创：PFC与LLC所采用三相拓扑的设计为纳微独家技术，该技术是纳微继8.5kW OCP电源后的又一成功应用。

智能控制技术：搭载纳微专利的IntelliWeave双环路双前馈交错数字控制技术，确保全负载范围内实现零电压开关（ZVS），较现有CCM方案减少30%功率损耗。

全球首款8.5kW OCP电源

为开放计算项目（OCP）和开放机架v3（ORv3）规范打造的50V服务器电源，纳微GaNSafe和GeneSiC混合设计与兆易创新GD32G5系列先进MCU深度协作，可实现84.6W/in³的超高功率密度和98%的峰值效率，同样轻松超越红宝石标准。

创新亮点

其拓扑采用三相交错PFC和三相LLC架构, 以确保实现最高效率和最佳性能，将无源器件数量降至最低，同时为PFC和LLC带来行业内最低的纹波电流和EMI。

与最接近的竞品（两相交错PFC，器件并联方案）相比，该电源的氮化镓和碳化硅器件数量要少25%，进而降低了整体成本。

该电源的输入电压范围为180至305Vac，待机输出电压为50V，工作温度范围为-5°C至45°C，在8.5kW时的保持时间为20ms。

全球最高功率密度！

CRPS185 4.5kW红宝石电源

同样采用氮化镓和碳化硅混设计，搭配兆易创新GD32G5系列先进MCU，以137W/in³的超高功率密度和超97%的效率冠绝全球。

创新亮点

纳微的650V第三代快速碳化硅MOSFETs采用了“沟槽辅助平面栅”技术，使其能够在不同温度下为实际应用带来最高系统效率和可靠性。

运用在LLC拓扑中的650V 纳微GaNSafe氮化镓功率芯片，凭借高度集成的功率、保护、控制和驱动功能，以及易于使用、坚固耐用、散热性能出色的TOLL封装，是大功率应用独特的理想之选。

GaNSafe氮化镓功率芯片拥有极低的开关损耗和高达800V的瞬态电压性能，以及低门极电荷（Qg）、低输出电容（COSS）和无反向恢复损耗（Qrr）等高速开关优势。

本届慕尼黑电子展，纳微半导体的3款先进AI数据中心电源方案，特别呈现于兆易创新的展台（上海新国际博览中心N5馆701展位），诚邀您莅临参观，与兆易创新及纳微技术团队现场探讨数据中心电源技术的未来创新。