纳芯微推出高性价比、EMI优化的第三代车规级数字隔离器NSI83xx系列

凭借在隔离领域近10年的深耕细作，纳芯微今日宣布推出基于电容隔离技术的第三代车规级数字隔离器NSI83xx系列，相比前代NSI82xx系列，新器件重点优化了EMI(抗电磁干扰)、EOS(过电应力)性能，并通过电路设计、封装测试等方面的全面优化，大幅降低了器件成本。

作为纳芯微“隔离+”产品的又一力作，NSI83xx系列的首发型号涵盖1-4通道的数字隔离器，可为系统工程师在新能源汽车车载充电机(OBC)、电池管理系统(BMS)、主驱逆变器、热管理PTC等系统中提供高性价比的器件选择。

纳芯微第三代数字隔离器NSI83xx系列的推出，是其近10年来在隔离技术领域持续研发和投入的成果体现，该系列基于纳芯微领先的电容隔离技术打造，在隔离耐压方面，NSI83xx系列可实现大于10kVrms的隔离耐压(1分钟)，满足增强绝缘要求，同时能够承受大于12kV的浪涌电压。在1ppm失效率、大于1500Vrms的长期工作电压情况下，NSI83xx系列的电容隔离层寿命大于30年，充分满足高压系统对长期可靠性的严苛需求，为高压系统提供安心之选。

EMI大幅优化，全频段通过CISPR 25 Class 5测试

随着汽车电驱电压和系统功率密度的提升，越来越多的元器件被集成在车内有限的布板空间内，让原本就棘手的EMI问题更加复杂，成为影响系统稳定性和可靠性的关键挑战。

NSI83xx系列采用了纳芯微专有的EMI优化电路设计，在严苛的CISPR 25 Class 5测试中，该系列RE指标可在全频段范围内保持大于10dB的裕度，在全面满足汽车级应用对于EMI严格要求的同时，让系统工程师在设计过程中显著减少了电磁干扰带来的困扰，为系统在复杂电磁环境下的稳定运行保驾护航。

业内领先的EOS和CMTI性能，全面守护系统可靠性

除了优化的EMI性能外，纳芯微第三代数字隔离器在EOS(过电应力)和CMTI(共模瞬态抗扰度)方面同样表现出色。相较于第二代产品，NSI83xx系列的EOS性能提升了约10%，达到大于10V的水平，使得器件在面对电源过应力时具有更高的可靠性，能够有效避免因电源异常波动而导致的器件损坏，提升系统可靠性，延长系统的使用寿命。

此外，在新能源汽车三电系统中，SiC功率器件正在加速普及。SiC 功率器件相比传统的硅基功率器件，具有更高的开关频率、更低的导通电阻和更高的耐压能力，系统中的电压和电流变化速度更快，产生的共模瞬态干扰(CMT)强度和频率也显著增加，这就要求数字隔离器具备更高的 CMTI 性能，以保证在这种强干扰环境下，信号传输的准确性和稳定性，避免误导通和信号失真。

NSI83xx系列的CMTI典型值达到200kV/μs，处于业内领先水平。高CMTI性能使得隔离器在高压系统中能够有效抵抗共模瞬态干扰，确保信号传输的准确性和稳定性。同时，NSI83xx系列在电源噪声抗扰性方面也表现优异，在1k-30MHz的噪声扰动下，芯片依然能够保持正常输出且不误码，进一步提升了系统在复杂工作环境下的可靠性。无论是在新能源汽车的电池管理系统，还是主驱逆变器中，这些卓越的性能都能确保系统稳定运行，降低故障风险。

封装和选型

满足AEC-Q100要求的车规级NSI83xx系列预计将于2025年8月量产，可提供1-4通道版本，支持SOP8，SOW8，SOW16和超宽体SOWW16等封装，其中超宽体SOWW16封装爬电距离大于8mm，满足特定应用的安规要求。NSI83xx系列的通讯速率为100Mbps。

丰富的隔离及“隔离+”产品，满足多元需求

凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列隔离及“隔离+”产品。纳芯微全面的隔离及“隔离+”产品布局可满足各种类型客户多样化的系统设计需要，为不同客户提供一站式的芯片解决方案。

审核编辑 黄宇