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射频天线ESD防护多方案设计

上海雷卯电子 2025-04-03 09:02 次阅读
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EMC小哥针对射频天线ESD 防护方案从两个角度分析:

1、根据频率高低不同,在保证信号完整性的情况下,选择小于此结电容的ESD二极管

2、根据信号工作峰值电压不同,选择对应Vrwm(反向工作电压)或稍高Vrwm的ESD静电元件

在这个"万物智联"的时代,手机导航、无线耳机、智能家居这些我们每天使用的设备,都离不开重要部件——射频天线。它就像电子设备的"信号收发员",负责把我们的语音、视频、定位信息转化成电磁波发送出去,同时接收来自四面八方的无线信号。

不同设备使用的信号频道不同:手机通话使用的700-3500MHz频段;车载导航依赖的GPS系统使用1175-1227MHz和1575MHz三个专用频段;蓝牙使用频段为2.4 GHz,Wi-Fi频段则主要在2.4 GHz、5 GHz和6GHz。工程师们设计这些天线时,需要让信号传输稳定,确保我们刷视频不卡顿、导航不偏移、智能家居随时在线。

就像脱毛衣时的静电,手机和智能手表的天线每天要经历数十次静电"攻击"。这些看不见的静电电压高达上千伏,当天线越做越小时,精密电路变得脆弱,一次静电冲击就可能导致故障。为这些精密天线设计防静电保护,成为设备可靠性的关键。

为应对静电威胁,工程师为天线加装TVS防护元件。这个微型"安全阀"能在静电突袭时瞬间导通,将上千伏的电流释放掉,避免损坏核心芯片,让设备经得起日常摩擦静电的考验。

选择TVS我们要考虑选择合适的Vrwm 的ESD二极管,射频信号功率对应的峰值电压也不同,因此选择TVS工作电压也不同。下表是阻抗匹配为50Ω,不同射频信号功率对应的峰值电压。

RF Power(dBm)功率

Vrf(V)峰值电压

20

3.16

25

5.62

30

10.00

31

11.22

32

12.59

33

14.13

34

15.85

35

17.78

36

19.95

50Ω系统不同功率对应峰值电压


上海雷卯EMC小哥匹配天线用的VRWM(反向工作电压)有多种电压, 从1.0V 到24V颗可以选择。

53f6074e-1027-11f0-9434-92fbcf53809c.png

应用于天线系统的ESD二极管参数选择需要关注的主要参数:

ESD二极管 的VRWM电压一定要高于信号的峰值最高电压。

ESD 二极管抗静电标准高于客户要求标准。

根据频率,选择低结电容CJ 的ESD, 避免影响天线收发信号失真。

考虑射频信号接收IC能承受电压范围,如果承受电压低,可以考虑用带有Snapback(回扫)的ESD, 测试静电防护更佳。

以下上海雷卯整理列出的可应用于不同天线信号接口的ESD保护器件:

Part Number


Vrwm
(V)



VB(V)

VCmax@A

C(PF)

Features

ESD per IEC61000-4-2 (Air)/(Contact)

Package

ULC0121CDN

1.0

1.4

6V@4A

0.35

1 CH.Bi.

±15kV/±12kV

DFN0603

ULC0142CDN

1.0

4

6V@6A

0.65

1 CH.Bi.

±22kV/±20kV

DFN1006

ULC01521CDN

1.5

6

2.9V@4A

0.2

1 CH.Bi. Snapback

±15kV/±12kV

DFN0603

ULC0321C13

3.3

5

15V@3A

0.13

1 CH.Bi.

±20kV/±20kV

DFN0603

ULC0321CDNH

3.3

4

5.5V@6A

0.26

1 CH.Bi. Snapback

±20kV/±15kV

DFN0603

ULC0322P10LV

3.3

3.5

5V@10A

0.6

1 CH.Bi. Snapback

±30kV/±30kV

DFN0603

ULC0342P

3.3

3.5

5V@10A

0.6

1 CH.Bi. Snapback

±30kV/±30kV

DFN1006

ULC0342CDNH

3.3

4

5.5V@6A

0.22

1 CH.Bi. Snapback

±20kV/±15kV

DFN1006

ULC0521CDNH

5

6

5.5V@6A

0.26

1 CH.Bi. Snapback

±20kV/±15kV

DFN0603

ULC0521C13

5

6

15V@3A

0.13

1 CH.Bi.

±20kV/±20kV

DFN0603

ULC0542CDNH

5

8

6V@5A

0.5

1 CH.Bi. Snapback

±25kV/±20kV

DFN1006

ULC0542C

5

6.5

25V@4A

0.3

1 CH.Bi.

±25kV/±22kV

DFN1006

ULC0511CDNH

5

6

7V@9A

0.3

1 CH.Bi. Snapback

±25kV/±25kV

DFN1006

ULC0811CDN

8

9.5

26V@3.5A

0.3

1 CH.Bi.

±25kV/±20kV

DFN1006

ULC1211CDNH

12

13.3

14V@6A

0.18

1 CH.Bi. lSnapback

±15kV/±10kV

DFN1006

ULC1542C

15

16.7

35V@2.5A

0.3

1 CH.Bi.

±30kV/±25kV

DFN1006

ULC1811CDN

18

19.5

40V@2A

0.3

1 CH.Bi.

±25kV/±15kV

DFN1006

ULC1811CDNH

18

22

6V@5A

0.5

1 CH.Bi. Snapback

±15kV/±15kV

DFN1006

ULC2411CDNLV

24

25

40V@1A

0.3

1 CH.Bi.

±20kV/±20kV

DFN1006

ULC2442CS

24

30

6V@5A

0.5

1 CH.Bi. Snapback

±15kV/±15kV

DFN1006

Leiditech雷卯电子致力于成为电磁兼容解决方案和元器件供应领导品牌,供应ESD,TVS,TSSGDT,MOV,MOSFET,Zener,电感等产品。雷卯拥有一支经验丰富的研发团队,能够根据客户需求提供个性化定制服务,为客户提供最优质的解决方案。

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