HMC7912 GaAs MMIC I/Q上变频器技术手册

概述
HMC7912LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和18 dBc的边带抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC7912LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。
数据表：*附件：HMC7912 GaAs MMIC I Q上变频器技术手册.pdf

应用

• 点对点和点对多点无线电
• 军用雷达、EW和ELINT
• 卫星通信
• 传感器

特性

• 转换增益：15 dB（典型值）
• 边带抑制：22 dBc（典型值）
• 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：4 dBm（典型值）
• 输出三阶交调截点(OIP3)：33 dBm（典型值）
• RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：5 dBm（典型值）
• 中频(IF)输入端2倍LO泄漏：-35 dBm（典型值）
• RF回波损耗：15 dB（典型值）
• LO回波损耗：15 dB（典型值）
• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型性能特征

工作原理

HMC7911 是一款基于砷化镓（GaAs）赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术的单片微波集成电路（MMIC）正交（I/Q）上变频器，集成了本振缓冲器。该上变频器可将中频信号转换为 21GHz 至 24GHz 之间的射频频率。芯片上集成了 3.5GHz 的本振缓冲放大器，典型的本振驱动电平只需 4dBm，就能实现全性能工作。本振路径采用了一个四级移相器，之后是片内巴伦，驱动无源混频器中的 I 和 Q 正交混频核心。

射频输出信号随后通过片内威尔金森功率合成器进行合成，并经过相对匹配处理，以提供单端 50Ω 输出信号，该信号由射频放大器进行放大，在 RFOUT 端口输出的射频信号是 50Ω 匹配的。在射频放大器之前有一个电压衰减器，用于实现所需的增益控制。

功率检测器提供了本振抵消功能，其电平为 - 10dBm。上变频器电路架构的功能框图如图 82 所示。