ADMV7410 E频段低噪声下变频器SiP，71GHz至76GHz技术手册

概述
ADMV7410 是一款完全集成的系统级封装 (SiP) 同相/正交 (I/Q) 下变频器，可在直流至 2 GHz 的中频 (IF) 输出范围和 71 GHz 至 76 GHz 的射频 (RF) 输入范围之间工作。该套件提供 13 dB 的小信号转换增益，以及 30 dBc 的镜像抑制。ADMV7410 在低噪声放大器之后使用镜像抑制混频器，该混频器由 6× 本地振荡器 (LO) 放大器驱动。针对直接转换应用提供差分 I 和 Q 混频器输出。或者，可以针对单端应用使用一个外部 90° 混合和两个外部 180° 混合来组合输出。

ADMV7410 采用完全集成的表面安装 34 端子 11 mm × 13 mm 芯片阵列小外形无铅腔面 (LGA_CAV) 封装。ADMV7410 的外壳工作温度范围为 −40°C 至 +85°C。
数据表：*附件：ADMV7410 E频段低噪声下变频器SiP，71GHz至76GHz技术手册.pdf

应用

• E 频段通信系统
• 高容量无线回程
• 测试与测量
• 航空航天和防务
  特性
• 转换增益：13 dB（典型值）
• 镜像抑制：30 dBc（典型值）
• 噪声指数：5 dB（典型值）
• 输入 IP3：1 dBm（典型值）
• 输入 IP2：28 dBm（典型值）
• 输入 P1dB：−8 dBm（典型值）
• RFIN 时的 6× LO 泄漏：<−55 dBm（典型值）
• I/Q 幅度不平衡：0.2 dB（典型值）
• I/Q 相位不平衡：5°（典型值）
• 完全集成的表面安装 34 端子 11 mm × 13 mm LGA_CAV 封装

框图

引脚配置描述

接口示意图

典型应用电路

上电偏置顺序

ADMV7410的功能模块采用多个有源放大器和倍频器级，这些都使用磷化铟（InP）赝调制掺杂场效应晶体管（pHEMT）。为防止晶体管损坏，在上电时，请按照以下偏置顺序操作，不要在施加射频功率之前开启本振（LO）或中频（IF）端口，否则会有风险：

1. 为VG_MULT、VG_AMP、VG12_LNA和VG34_LNA施加 -2 V偏置电压。
2. 为VG_MIXER施加1 V偏置电压。
3. 为VD12_LNA施加2 V偏置电压。
4. 为VD_MULT施加1.5 V偏置电压。
5. 为VD_AMP和VD34_LNA施加4 V偏置电压。
6. 在 -2 V至0 V之间调整VG_AMP电压，使总**I_{VD_AMP}**电流达到175 mA。
7. 在 -2 V至0 V之间调整VG12_LNA电压，使总**I_{VD12_LNA}**电流达到22 mA。
8. 在 -2 V至0 V之间调整VG34_LNA电压，使总**I_{VD34_LNA}**电流达到44 mA。
9. 在本振（LO）端口上施加本振输入信号。
10. 在 -2 V至0 V之间调整VG_MULT电压，使总**I_{VD_MULT}**电流达到8 mA。
    断电顺序

要关闭ADMV7410，请执行以下步骤：

1. 为VD_MULT、VD_AMP、VD12_LNA和VD34_LNA施加0 V偏置电压。
2. 为VG_MIXER施加0 V偏置电压。
3. 为VG_MULT、VG_AMP、VG12_LNA和VG34_LNA施加0 V偏置电压。
   布局

将ADMV7410底面的外露焊盘焊接到低导热和低导电的接地平面上。该焊盘通常焊接到一个延伸到阻焊层的开孔处。通过接地过孔将此焊盘连接到所有接地层，以最大程度地减少设备的散热。
图73展示了ADMV7410接口面板上推荐的机械布局，该接口与WR - 12波导开口相匹配。图74展示了推荐的印刷电路板（PCB）焊盘图案。