瞬态分流抑制器（TDS）优势9—封装尺寸小

在涉及浪涌防护时，传统瞬态电压抑制二极管（TVS）具有成本低廉和应用方便等特点，工程师通常会将其作为热门选择。然而传统TVS存在不可忽视的缺点，从而导致系统设计面临挑战，例如TVS二极管的特性对温度变化敏感、钳位电压特性低效以及封装体积大,导致需要对受保护电路进行过度设计。为了产品在恶劣环境中运行维持更长的使用寿命，因此必须开发更为可靠的浪涌保护解决方案。

湖南静芯突破浪涌控制（SurgeControl）技术，推出瞬态分流抑制器（TransientDivertingSuppressors，简称TDS）产品系列，用来保护电路的静电放电ESD（Electro-Static Discharge）和电气过压EOS（Electrical Over Stress）。TDS与传统TVS二极管的结构以及工作机理不同，其不再基于传统的PN结作为击穿机制与浪涌电流泄放路径。TDS产品系列具有精准且恒定的触发电压、优异的钳位性能、低导通电阻以及稳定的温度特性，可为系统提供更全面和更可靠的保护，避免系统的过度设计。

由于采用IC技术，因此TDS体积小巧，其可以适应更加紧凑的封装。TDS的2mm×2mm×0.68mm 6引脚封装比传统TVS二极管的SOD-123封装缩小60%，有效降低PCB面积，并且兼顾防护性能。

图1封装尺寸对比	图2带有铜散热片的封装示意图

TDS晶圆放置在紧凑的封装中可以降低面积而又不影响热性能。在8/20µs IEC 61000-4-5事件中，材料的热扩散长度约为32µm。由于32µm远小于典型硅芯片的厚度（约120µm-280µm，见图2），因此8/20µs浪涌脉冲的热能在硅芯片内部即可消散。因此，封装尺寸和热特性与非重复性8/20µs浪涌事件中的功率耗散无关。

在10/1000µs浪涌事件期间，热扩散长度约为224µm，接近典型硅芯片的厚度。对于10/1000µs浪涌事件，热量可以达到硅与封装的边界，封装热阻开始在浪涌性能中发挥作用。

静芯公司推出的系列TDS芯片具有接近理想状况的ESD和EOS保护特性，可以广泛应用于USB/雷电接口、工业机器人、IO-Link接口、工业传感器、IIoT设备、可编程逻辑控制器(PLC)和以太网供电(PoE)等领域，可为系统提供更全面以及更可靠的保护。目前公司推出来ESTVS2200DRVR、ESTDS2211P、ESTVS3300DRVR、ESTDS3311P等封装型号，欢迎客户前来咨询选购。

湖南静芯是一家专门从事高可靠性器件与芯片设计的高新技术企业，为客户提供面向汽车、工业、物联网等高可靠性传感器及相关芯片、半导体器件和应用系统等产品和服务。

审核编辑 黄宇