国星光电MIP技术引领显示市场新突破

随着Micro LED技术逐步突破量产瓶颈，MIP凭借其低成本、高兼容性、强稳定性等优势，成为微小间距LED显示领域的核心变量。

据研究机构与行家说预测，至2028年，中国大陆MLED直显市场中MIP封装技术销售额占比将达35%；2025年MIP封装总产能或达10000kk/月，成本降幅超50%，MIP技术方案迈入规模化应用元年。

近日，国星光电应邀出席2025年行家说开年盛会，并发表《MIP引领显示市场新突破》主题演讲，围绕LED显示屏及MLED技术的未来蓝图，分享公司在MIP技术领域的最新研发成果与战略布局。

国星光电是最早布局MIP系列产品的封装企业之一，2024年重点开发了MIP-IMD系列和MIP-CHIP系列两大MIP产品线，产品适用间距涵盖P0.6-P2.6，满足固装、租赁等不同应用领域需求。

MIP技术革新，驱动显示场景突破

国星光电的MIP器件依托超薄封装工艺与100%分测严选，具备高亮度、高对比度、出光一致性好及可靠性强等性能优势。通过动态像素优化及IMD集成化设计，其应用间距已全面覆盖P0.4-P3微显示场景，成功拓展至虚拟拍摄、高端商业显示等前沿领域，加速推动传统SMD产品迭代，为超高清显示产业化落地提供核心支撑。

MIP面板化，技术融合重塑行业标准

进入MIP发展上量元年，国星光电积极推进MIP系列产品创新开发，深入解决微小间距的显示挑战，提出了MIP+GOB的突破解决方案，通过两大技术融合实现行业级创新。

突破一

画质领先

基于全流程严选分测的MIP器件，搭载GOB封装技术协同优化，实现显示对比度更加均匀、颜色一致性更佳。

突破二

亮度优势

采用全倒装共阴/共阳MIP定制化方案，搭配GOB光效无损封装工艺，亮度输出效率同比大幅提升。

突破三

外观、显示一致性

GOB技术强化屏体表面平整度，提升整体屏体外观效果；结合MIP全倒装芯片无焊线遮挡设计，减少颗粒感，可视角度提升。

突破四

二重保护

MIP+GOB复合型防护设计，有效实现防水、防潮、防撞、防尘、防腐蚀、防蓝光、防盐、防静电八大防护，防磕碰性能优秀，可靠性更优。

国星光电启动吉利产业园扩产项目，大规模布局RGB小间距、Mini LED、TOP/CHIP LED等高端显示器件产线，将进一步巩固高清显示领域核心竞争力，加速产品迭代与工艺升级，全面承接新兴显示以及Micro LED显示红海的到来。

国星光电不断探索新兴市场、追求技术创新，持续推动新型显示技术的研发与应用。未来，国星光电将持续赋能微小间距显示领域的发展，充分发挥MIP+GOB的技术优势，实现新一轮显示场景的突破，助力全球显示产业迈向“更清晰”的新纪元。