概述
ADL8142是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器,工作频率范围为23 GHz至31 GHz。在27 GHz至31 GHz范围内,ADL8142提供27 dB典型增益、1.6 dB典型噪声系数和29 dBm典型输出三阶交调截点(OIP3),采用2 V电源电压时功耗仅为25 mA。注意,可通过较大的漏极电流改善OIP3。ADL8142还具有交流耦合的输入和输出,内部匹配至50 Ω,因而非常适合高容量微波无线电应用。
ADL8142采用符合RoHS标准的2 mm × 2 mm 8引脚LFCSP封装。
数据表:*附件:ADL8142 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,23GHz至31GHz技术手册.pdf
应用
- 卫星通信
- 电信
- 民用雷达
特性
- 低噪声系数:1.6 dB(典型值,27 GHz至31 GHz时)
- 单正电源(自偏置)
- 高增益:27 dB(典型值,27 GHz至31 GHz时)
- 高OIP3:21.5 dBm(典型值,27 GHz至31 GHz时)
- 符合RoHS标准的2 mm x 2 mm、8引脚LFCSP封装
框图
引脚配置
接口示意图
ADL8142是一款GaAs MMIC pHEMT低噪声宽带放大器,集成偏置电感和交流耦合电容。简化原理图如图63所示。要调整漏极偏置电流,请在RBIAS和VDD引脚之间连接一个外部电阻。ADL8142具有交流耦合的单端输入和输出端口,在23 GHz至31 GHz频率范围内,其阻抗标称值等于50欧姆。不需要外部匹配元件。虽然RF输出路径是交流耦合的,但交流耦合电容的RFOUT侧有一条直流接地路径。
-
宽带放大器
+关注
关注
2文章
103浏览量
27091 -
GaAs
+关注
关注
3文章
893浏览量
24807 -
MMIC
+关注
关注
3文章
738浏览量
26228
发布评论请先 登录
ADL9006CHIPS:2 GHz至28 GHz,GaAs,pHEMT,MMIC,低噪声放大器数据表
HMC903LP3E:GaAs、PHEMT、MMIC、低噪声放大器、6 GHz至17 GHz数据表
HMC8410:0.01 GHz至10 GHz,GaAs,pHEMT,MMIC,低噪声放大器数据表
HMC1040CHIPS:20 GHz至44 GHz,GaAs,pHEMT,MMIC,低噪声放大器数据表
HMC1049SCPZ-EP:GaAs,pHEMT,MMIC,低噪声放大器,0.3 GHz至20 GHz
HMC8400:2 GHz至30 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器数据表
ADL7003:50 GHz至95 GHz,GaAs,pHEMT,MMIC,宽带低噪声放大器数据表
HMC902LP3E:5 GHz至11 GHz GaAs、PHEMT、MMIC、低噪声放大器数据表
HMC7950:2 GHz至28 GHz,GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器数据表
ADL8142S GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,23GHz至31GHz技术手册
ADL8142-2 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,23 GHz至31 GHz技术手册
ADL8105 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,5 GHz至20 GHz技术手册
ADL8142S GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,23 GHz 至 31 GHz技术手册
ADL8121 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,0.025 GHz至12 GHz技术手册
ADL8142 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,23 GHz至31 GHz技术手册

ADL8142 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器,23GHz至31GHz技术手册
评论