HMC241ALP3E GaAs、非反射式、SP4T开关，100MHz至4GHz技术手册

概述

HMC241ALP3E是一款通用型、非反射式、100 MHz至4 GHz单刀四掷(SP4T)开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关提供43 dB（典型值）的高隔离度(2 GHz)、0.7 dB的低插入损耗(2 GHz)和片内端接隔离端口。

片内电路允许HMC241ALP3E以3 V至5 V范围内的单正电源电压运行。此开关需要两个正逻辑控制电压。HMC241ALP3E内置片内二进制2:4线路解码器，通过两条逻辑输入线路提供逻辑控制，便于选择四个射频(RF)线路中的一个。

HMC241ALP3E采用3 mm × 3 mm、16引脚LFCSP封装。HMC7992是此开关的硅版本，在更高频率下具有更好的性能。
数据表：*附件：HMC241ALP3E GaAs、非反射式、SP4T开关，100MHz至4GHz技术手册.pdf

应用

• 蜂窝/4G基础设施
• 无线基础设施
• 汽车远程信息处理
• 移动无线电
• 测试设备
  特性
• 宽带频率范围：100 MHz至4 GHz
• 非反射式50 Ω设计
• 低插入损耗：0.7 dB（2 GHz时）
• 高隔离度：43 dB（2 GHz时）
• 高输入线性度：250 MHz至4 GHz高功率处理能力单正电源：3 V至5 V
• 集成式2:4线路解码器
• 16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装
• ESD额定值：250 V（1A级）
• 与HMC7992引脚兼容
• 欲了解更多特性，请参考数据手册

**HMC241ALP3E支持防务和航空航天应用（AQEC标准）

• 军用温度范围（−55℃至+125℃）
• 受控制造基线
• 唯一封装/测试厂
• 产品变更通知
• 认证数据可应要求提供

功能框图

引脚配置

接口示意图

典型性能特征

108333-HMC241ALP3是一款4层评估板。每层铜为0.7密耳(0.5盎司)，由介电材料隔开。图14显示了该评估板的层叠结构。

所有RF和dc走线都布设在顶层铜层上，内层和底层是接地层，为RF传输线提供固体接地。顶部介电材料是10密耳的Rogers RO4350。中间和底部介电材料提供机械强度。整个板厚为62密耳，允许SMA发射器在板边缘连接。
图15显示了108333-HMC 241 ALP 3评估板的布局和元件布局。电源端口连接到Voo测试点J6。控制电压连接到A和B测试点J8和J7。接地参考连接到GND测试点J9。NIC引脚连接到PCB地，以实现最大隔离。在电源走线上，10 nF旁路电容Voo用于滤除高频噪声。