TLV755P 500mA 高 PSRR 低 IQ带使能功能的低压差稳压器数据手册

TLV755P 是一款超小型、低静态电流、低压差稳压器 （LDO），可提供 500mA 电流，具有良好的线路和负载瞬态性能。TLV755P 支持 1.45V 至 5.5V 的输入电压范围，针对各种应用进行了优化。为了最大限度地降低成本和解决方案尺寸，该器件提供 0.6V 至 5V 的固定输出电压，以支持现代微控制器 （MCU） 的较低内核电压。此外，TLV755P 具有低 IQ 和使能功能，可最大限度地降低待机功耗。该器件具有内部软启动功能，可降低浪涌电流，从而为负载提供受控电压，并最大限度地减少启动期间的输入压降。关断时，该器件主动拉低输出，以快速对输出放电并提供已知的启动状态。

*附件：TLV755P 500mA、低 IQ、小尺寸、低压差稳压器 数据表.pdf

TLV755P 使用小型陶瓷输出电容器时保持稳定，从而允许较小的整体解决方案尺寸。精密带隙和误差放大器提供 1% 的典型精度。所有器件版本均集成了热关断、电流限制和欠压锁定 （UVLO）。TLV755P具有内部折返电流限制，有助于减少短路事件期间的热耗散。

TLV755 采用流行的 WSON、X2SON 和 SOT23-5（DRV、DQN 和 DBV）封装。该器件还采用热增强型 SOT23-5 （DYD） 封装，与标准 SOT23-5 封装相比，带有导热垫，可显著降低热阻。

特性

• SOT-23-5 封装，可提供 60.3°C/W RθJA
• 输入电压范围：1.45V 至 5.5V
• 低 IQ：25μA（典型值）
• 低压差：
  • 500mA （3.3VOUT） 时为 238mV （最大值）
• 输出精度：1%（最大 85°C）
• 内置软启动，具有单调 VOUT 上升
• 折返电流限制
• 有源输出放电
• 高 PSRR：46dB （在 100kHz）
• 采用 1μF 陶瓷输出电容器时保持稳定
• 包：
  • 2.9 毫米 × 2.8 毫米 SOT-23-5 （DBV）
  • 2.9mm × 2.8mm SOT-23-5 （DYD） 封装，带导热垫
  • 1 毫米 × 1 毫米 X2SON-4 （DQN）
  • 2 毫米 × 2 毫米 WSON-6 （DRV）

参数

方框图

1. 产品概述

TLV755P是一款低静态电流（IQ）、小尺寸、低压差稳压器（LDO），能够提供高达500mA的输出电流。它支持广泛的应用，包括机顶盒、电视、游戏控制器、便携式设备、笔记本电脑、平板电脑、遥控器、家用电器、电网基础设施和保护继电器等。

2. 主要特性

• ‌小尺寸封装‌：提供SOT-23-5封装，热阻为60.3°C/W。
• ‌宽输入电压范围‌：1.45V至5.5V。
• ‌低静态电流‌：典型值为25μA。
• ‌低压差‌：在500mA输出时，最大压差为238mV（3.3V输出）。
• ‌高精度‌：输出电压精度最大为1%（85°C时）。
• ‌内置软启动‌：具有单调上升的输出电压，减少浪涌电流。
• ‌折返电流限制‌：保护器件免受过载或短路损坏。
• ‌热关断保护‌：防止器件因过热而损坏。

3. 电气特性

• ‌输出电压范围‌：0.6V至5V（固定输出）。
• ‌负载调节‌：在0.1mA至500mA输出电流范围内具有良好的负载调节能力。
• ‌线性调节‌：输入电压变化时，输出电压变化小。
• ‌ 电源抑制比（PSRR） ‌：在1kHz时为52dB，100kHz时为46dB，1MHz时为52dB。
• ‌启动时间‌：典型值为550μs。
• ‌关机电流‌：在使能引脚电压低于0.4V时，关机电流为0.11μA。

4. 功能描述

• ‌ 欠压锁定（UVLO） ‌：防止在输入电压过低时启动器件。
• ‌软启动‌：通过内置软启动电路，减少启动时的浪涌电流。
• ‌折返电流限制‌：在输出电压低于一定值时，自动降低输出电流，防止器件损坏。
• ‌热关断‌：当结温超过热关断温度时，自动关断输出。

5. 应用信息

• ‌电容器选择‌：建议使用X5R和X7R类型的陶瓷电容器作为输入和输出电容。
• ‌布局指南‌：提供详细的布局指南和布局示例，以确保最佳性能。
• ‌电源耗散‌：讨论了电源耗散对电路可靠性的影响，并提供了估算结温的方法。

6. 典型应用电路

数据表中提供了详细的典型应用电路图，包括输入电容、输出电容、使能引脚和地引脚的连接方式。同时，还提供了设计要求和详细设计步骤，以帮助用户实现可靠的设计。

7. 文档与支持资源

• ‌数据表‌：提供了详细的技术规格、电气特性和应用信息。
• ‌相关文档‌：包括评估模块用户指南和应用报告等。