SK海力士将开发基于321层闪存的244TB SSD

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）近日，SK海力士宣布，开发出适用于AI数据中心的高容量固态硬盘SSD产品PS1012 U.2。

据介绍，PS1012采用了最新的PCIe5.0，比PCIe4.0带宽增大一倍。数据传输速度可达32GT/s，顺序读取性能是以前一代规格产品的两倍，可达13GB/s。可支持OCP 2.0版本（OCP即Open Compute Project是由全球领先的数据中心公司组成，以讨论构建超高效数据中心的硬件、软件和企业级固态硬盘（eSSD）标准的国际协议体），由此提高了全球AI领域客户的多种数据中心服务器设备的兼容性。

图源：SK海力士

公司计划在今年年内向全球服务器制造商提供样品进行产品评估，并计划在明年第三季度将产品群扩大至122TB。

SK海力士表示：“随着AI时代的正式到来，高性能企业级固态硬盘（eSSD，enterprise SSD）的需求正在急剧增加，能够实现其高容量的QLC2技术正在成为业界标准，为了顺应这种趋势,公司开发出了适用该技术的61TB产品，并推向市场。”

根据规划，其下一步的目标是开发244TB产品，主要基于321层闪存技术。“今年11月，SK海力士开发出全球最高的321层4D NAND闪存技术，为了突破企业级固态硬盘的容量极限，公司将同时进行基于321层4D NAND技术的244TB产品开发，以此引领适用于数据中心的超高容量固态硬盘市场。”

SK海力士从2023年6月量产238层NAND闪存产品，并供应于市场，又率先推出超过300层的NAND闪存，突破了技术界限。

其321层产品与上一代相比，数据传输速度和读取性能分别提高了12%、13%，并且数据读取能效也提高10%以上。SK海力士将以321层NAND闪存积极应对面向AI的低功耗、高性能新市场，并逐渐扩大其应用范围。计划从2025年上半年起向客户提供321层产品。

工艺技术方面，SK海力士表示，开发321层4D NAND采用了高生产效率的“3-Plug2”工艺技术，克服了堆叠局限。该技术分三次进行通孔工艺流程，随后经过优化的后续工艺将3个通孔（通孔是指堆叠多层基板之后，为一次性形成单元的垂直孔。）进行电气连接。在其过程中开发出了低变形材料（是指通过改变plug内填充的物质，减少变形），引进了通孔间自动排列（Alignment）矫正技术。公司技术团队也将上一代238层NAND闪存的开发平台应用于321层，由此最大限度地减少了工艺变化，与上一代相比，其生产效率提升了59%。

Solidigm是SK海力士的子公司，早前Solidigm宣布推出122TB的Solidigm D5-P5336 数据中心 SSD，能够大幅提升能效和空间利用率，为核心数据中心到边缘的各种使用场景提供行业领先的存储效率。

Solidigm表示，在应对内容分发网络、通用存储应用和对象存储应用等数据密集型工作负载方面，这一现代高密度QLC 硬盘相较于其他厂商的入门级高密度数据中心TLC产品，能够展现出高达15%的性能提升。在持续写入工作负载方面，D5-P5336 的读取响应率高出最多 40%。

对于两者在数据中心SSD产品上的定位和发展，SK海力士表示Solidigm全球首次将基于QLC的企业级SSD商业化。SK海力士以Solidigm为中心，引领了适用于AI数据中心的固态硬盘市场。公司期待通过PS1012的开发，可以构建均衡的固态硬盘产品组合，实现两家公司之间的协同效应最大化。