台积电2nm制成细节公布：性能提升15%，功耗降低35%

12月17日消息，在于旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上，全球晶圆代工巨头台积电公布了其备受瞩目的2纳米（N2）制程技术的更多细节，展示了该技术在性能、功耗和晶体管密度方面的显著进步。

台积电在会上重点介绍了其2纳米“纳米片（nanosheets）”技术。据介绍，相较于前代制程，N2制程在性能上提升了15%，功耗降低了高达30%，能效显著提升。此外，得益于环绕式栅极（GAA）纳米片晶体管和N2 NanoFlex技术的应用，晶体管密度也提高了1.15倍。N2 NanoFlex技术允许制造商在最小的面积内集成不同的逻辑单元，进一步优化了制程的性能。

通过从传统的FinFET（鳍式场效应晶体管）技术过渡到专用的N2“纳米片”技术，台积电实现了对电流更有效的控制，使得制造商能够根据不同的应用场景微调参数。纳米片技术采用堆叠的窄硅带结构，每条硅带都被栅极包围，相比FinFET技术，能够实现更精确的电流控制。

与3纳米及其衍生制程相比，台积电的N2制程在性能上实现了显著的提升。鉴于其明显的代际改进，预计包括苹果和英伟达在内的行业巨头将大规模采用该制程。然而，伴随性能提升的，是晶圆价格的上涨。据悉，N2制程晶圆的价格将比3纳米制程高出10%以上。

审核编辑 黄宇