安森美产品有什么优势

年度传感器产品、年度功率半导体/驱动器产品、年度最具潜力第三代半导体技术……安森美(onsemi)一举入围2024年度全球电子成就奖四大奖项，一起细数入围产品。

全球电子成就奖 (World Electronics Achievement Awards) 旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者，由AspenCore全球资深产业分析师组成的评审委员会以及来自亚、美、欧洲的网站用户群共同评选出得奖者。

Hyperlux LP图像传感器

主要特征、规格及应用领域

Hyperlux LP图像传感器系列基于1.4 µm 像素，提供业界领先的图像质量和低功耗，同时大幅提高图像性能，即使在恶劣的照明条件下也能捕获清晰、生动的图像，适合门禁、生物识别、监控、安防、工业自动化、公共和民用安全以及视频会议等各种应用。

此产品系列还采用堆栈式架构设计，能最大限度地减少产品体积，最小型号小如一粒米，成为受尺寸限制困扰的紧凑型设备的理想选择。客户可以根据使用情况，选用500万分辨率的AR0544、800万分辨率的AR0830或2000万分辨率的AR2020。

主要优势

Hyperlux LP 传感器的差异化优势体现在功耗和架构方面。该系列产品经过专门构建和设计以实现低功耗。为了进一步完善硅架构，Hyperlux LP 传感器还具备面向特定目的的功能，如运动唤醒 (WOM) 和 SmartROI，这些功能在各种工业和商业应用中非常实用。

这些功能使 Hyperlux LP 传感器能够在带宽和功耗之间进行权衡，使得视觉系统可在极低功耗模式下运行。传统传感器由于不具备相关功能，往往需要搭载昂贵的电力电子元件和占用(电子器件)空间，无法实现理想的图像质量。

该产品已入围2024年度全球电子成就奖 - 年度传感器产品。

CEM102 模拟前端(AFE)

主要特征、规格及应用领域

CEM102能以超低的电流实现超高精度的电化学传感。CEM102具备小巧外形和业内超低功耗，是依赖电池供电的电化学传感器应用的理想之选，工程师采用它能为工业、环境和医疗保健应用开发小巧的多用途解决方案，如空气和气体检测、食品加工和农业监测，以及连续血糖监测等医疗可穿戴设备。

主要优势

CEM102 被设计为与 RSL15 Bluetooth 5.2微控制器配合使用，RSL15提供行业功耗最低的蓝牙低功耗技术。作为一个完整的电子解决方案，它使生物传感器和环境传感器能精确测量化学电流，同时以超低系统功耗和宽电源电压范围运行。这两个器件的无缝集成、紧凑的尺寸和业界领先的能效，在缩小设备体积和确保其持久运行方面发挥着至关重要的作用，而这正是电池供电解决方案的关键因素。

与其他产品相比，该解决方案具有更高的精度、降噪和低功耗。它还简化了物料清单(BoM)，易于校准，并降低制造复杂性。该系统具有宽电源电压范围(1.3 V至 3.6 V) ，可使用 1.5 V 氧化银电池或 3 V 纽扣电池工作。

其运行功耗在禁用模式下仅为 50 nA，在传感器偏置模式下为 2 uA，在 18 位 ADC 连续转换的测量模式下为 3.5 uA。这相当于仅使用 3 mAh 电池就能工作 14 天，使用大容量电池则能工作数年，其表现在市场处于领先地位。

该产品已入围2024年度全球电子成就奖 - 年度传感器产品。

PowerTrench T10

主要特征、规格及应用领域

PowerTrench T10 系列专为处理对DC-DC功率转换级至关重要的大电流而设计，可提高数据中心能效，实现大幅节能，满足人工智能计算的庞大处理需求。该系列产品以紧凑的封装尺寸提供了更高的功率密度和卓越的热性能。这是通过屏蔽栅极沟槽设计实现的，该设计具有超低栅极电荷和小于 1 毫欧的导通电阻RDS(on)。

此外，软恢复体二极管和较低的 Qrr 有效地减少了振铃、过冲和电气噪声，从而确保了在压力下的最佳性能、可靠性和稳健性。采用 T10，电子变流器可以设计为高效的分立方案，允许将栅极驱动器放置在 MOSFET 附近，使电流路径更短。

PowerTrench T10 系列还符合汽车应用所需的严格标准，适用于各种需要 40V 和 80V MOSFET 的新型 48V 应用和传统 12V 应用。

主要优势

对于低压 FET，衬底电阻可能占 RDS(ON) 的很大一部分。因此，随着技术的进步，使用较低电阻率的衬底和减薄晶圆变得至关重要。在 T10 技术中，安森美成功减小了晶圆厚度，从而将 40V MOSFET 中衬底对 RDS(ON) 的影响从约 50% 减少到 22%。更薄的衬底也提高了器件的热性能。

与传统的 T8 沟槽栅极技术相比，T10 实现了：

更低的 RDS(ON) 和栅极电荷 QG，RDS(ON) < 1mΩ，QG < 10 nC。

更低的 Rsp(RDS(ON) vs 面积)

改进了 FOM(Rds x Qoss/QG/Qgd)，提高了性能和整体效率。

业界领先的软恢复体二极管(Qrr、Trr)，减少了振铃、过冲和噪声。

安森美与竞争对手对比：≈1 mΩ RDS(ON) 40V 器件规格

该产品入围2024年度全球电子成就奖 - 年度功率半导体/驱动器产品。

安森美领先的第三代半导体

EliteSiC M3S 650V MOSFET

EliteSiC M3S 650V MOSFET提供了卓越的开关性能和更低的器件电容，可在数据中心和储能系统中实现更高的效率。与上一代产品相比，新一代碳化硅(SiC) MOSFET的栅极电荷减半，并且将储存在输出电容(Eoss)和输出电荷(Qoss)中的能量均减少了44%。与超级结 (SJ) MOSFET 相比，它们在关断时没有拖尾电流，在高温下性能优越，能显著降低开关损耗。这使得设计人员能够在提高工作频率的同时减小系统元件的尺寸，从而全面降低系统成本。

全新 EliteSiC 功率集成模块 (PIM)

九款全新 EliteSiC 功率集成模块 (PIM) 赋能更小、更轻的双向快速充电平台，可为电动汽车 (EV) 直流超快速充电桩和储能系统 (ESS) 提供双向充电功能。与传统的硅基 IGBT 解决方案相比，尺寸最多可减小 40%，重量最多可减轻 52%，实现在短短 15 分钟内将电动汽车电池充电至 80%，解决电动汽车普及的关键难题。

优势：

针对每个模块， 安森美使用来自同一晶圆的芯片来确保更高的一致性和可靠性;

采用第三代 M3S SiC MOSFET技术，提供超低的开关损耗和超高的效率;

支持多电平T型中性点钳位(TNPC)、半桥和全桥等关键拓扑;

支持 25 kW 至 100 kW 的可扩展输出功率段，支持多个直流快速充电和储能系统平台，包括双向充电;

采用行业标准 F1 和 F2 封装，可选择预涂热界面材料 (TIM) 和压接引脚;

实现最佳热管理，避免因过热导致的系统故障;

全碳化硅模块最大限度地减少功率损耗，从而实现节能和降低成本;

提供更高的稳健性和可靠性，从而确保持续连贯工作。

安森美已入围2024年度全球电子成就奖 - 年度最具潜力第三代半导体技术。