业界领先水平的高隔离度 日清纺微电子开始提供 面向5G基站的吸收式SPDT开关“NT1819”的样品

日清纺微电子从9月26日开始提供最适合5G基站使用且具有业界领先水平※1高隔离度的SPDT开关“NT1819”样品。

为了实现智能社会，已经启动了5G服务。这样，高速、低延迟、大容量的数据通信成为可能，也给我们的生活和工业发展带来了巨大的变化。

在5G基站有很多天线，每个天线都能发射强无线电波。为了防止无线电波的相互干扰，发射信号放大器的失真补偿电路需要具有非常高的隔离度和Off端子50Ω终端功能的开关。

“NT1819”拥有长年积累的射频器件技术，在5G使用的sub-6频段实现了60dB以上的高隔离度，可以减少相邻器件之间的干扰。此外，内置 50Ω终端功能，可防止阻抗不匹配。这些特性和功能增强了5G通信网络的稳定性，用途广泛。

※1 日清纺微电子于2024年9月26日调查的结果

产品特点

1.高隔离度

具有60dB以上的高隔离度，非常适合在 5G基站聚合 DPD※2信号。

面向5G基站的RFIC的DPD端子数量有限，因此需要使用开关来聚合信号。为了防止受到相邻模块的影响而导致失真特性劣化，在PC-P1/P2之间以及在P1-P2之间都实现了高隔离度。

※2 数字预失真补偿(Digital Pre-Distortion)

2.内置吸収式50Ω终端

采用50Ω吸收式终端，在开关on/off的任一状态下阻抗始终保持在50Ω，因此有助于电路稳定工作。

3.最大支持7.125GHz

除了5G的主要频带3.3～5.0GHz（n77，n78，n79）之外，还正在考虑追加6.425～7.125GHz（n104）频带。另外，5.9~7.125GHz频带在WiFi和美国的Unlicensed频带通信中也被使用。

本产品最大支持频率7.125GHz，因此可用于N104频段等高频段的通信方式。

应用示例：5G基站的 RF电路框图和端口之间隔离度

项目	NT1819NAAE2S 主要指标
封装	3.0 x 3.0 x 0.75 mm
电源电压	2.5 V to 5.0 V (3.3 V typ.)
工作电流(消耗电流)	200 μA Typ.
支持频率	0.2 GHz to 7.125 GHz
插入损耗	0.70/0.80/0.85/0.90/1.20 dB typ. @ 0.7/3.85/4.7/6.0/7.125 GHz
隔离度	70/62/60/55/51 dB typ. (PC-P1/P2) 70/61/60/58/55 dB typ. (P1-P2) @ 0.7/3.85/4.7/6.0/7.125 GHz
P-0.1dB	+31 dBm typ. @ 0.7 to 7.125 GHz
切换时间	250 ns typ.
工作温度范围	-40 to +105°C

审核编辑 黄宇