放电模式:
(1)人体模式(HBM)+- 4kv。100pF/1.5Kohm 参考 JESD22-A114-D (IEC60749-26)
(2)机器模式 (MM) +-200V, 200pF/Oohm 参考JESD22-A115-A (IEC60749-27)
测试项目
触点放电:
(a) HBM测试+/-4KV,参考JESD22-A114-D 100pF/1.5kohm
(b) MM测试+/-200V参考JESD22-A115-A 200pF/0 ohm
(c) +/-2KV, +/-4KV参考IEC61000-4-2型号150pF / 330欧姆,在不接地配置下对单个触点焊片进行触点放电测试。每个接触纸极性每个电压应力水平施加五次放电。
(2)对非接触式焊盘区域的空气放电:
非接触式焊盘空气放电+/-4KV, +/-8KV, +/-15KV参考IEC61000-4-2型号150pF 330欧姆,用于非接地配置的非接触式焊盘。接触片应覆盖适当的绝缘材料,以避免放电到接触片。
(3) CE认证的空气放电测试:
SDA建议SD卡按照EN55024获得CE认证。
CE认证要求+/-8KV空气放电参考IEC61000-4-2当卡插入并在主机上通电时。
用于测试的主机应包括与主机所提供的任何电源或数据电缆的连接。
(4)耦合平面:+/-8KV参考IEC61000-4-2
测试结果要求:
(1)SD卡应按规定工作;
(2)在进行ESD测试前,SD卡应保留卡内存储的数据。
审核编辑 黄宇
-
SDIO
+关注
关注
2文章
78浏览量
20498 -
SD NAND
+关注
关注
0文章
108浏览量
1739
发布评论请先 登录
瀚海微SD NAND/TF卡数据损坏与校验错误(含CRC错误、数据比对失败)问题解析
解锁SD NAND、TF卡、SD卡的应用密码
解决SD NAND CRC校验失败的综合指南:瀚海微存储产品的可靠性保障
瀚海微SD NAND TF卡硬件识别与初始化类问题探讨
瀚海微SD NAND/TF卡数据读写超时(Data Transfer Timeout)问题深度解析
SD NAND 接口协议解析:SPI 与 SDIO 模式区别及适配方法
一文秒懂XTX SD NAND
解锁存储密码:SD NAND、TF卡、SD卡的应用全景
瀚海微SD NAND/TF卡:赋能全场景数据存储,定义高效安全新基准
瀚海微SD NAND/TF卡——数据世界的全能搭档
CS创世SD NAND在北京君正平台和瑞芯微RK平台的应用
SD卡—雷龙 SD NAND
雷龙SD NAND试用
SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定义与比较

瀚海微SD NAND之SD 协议(35)ESD要求
评论