IGBT芯片工艺流程简述
IGBT，全称绝缘栅双极性晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是由MOS（绝缘栅型场效应管）和BJT（双极性晶体管）组成的复合全控型功率半导体器件，俗称电力电子装置的“CPU”，通过十几伏的门极控制信号，即可实现kV级电压和kA级电流的控制，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、工业节能、电动汽车与新能源装备等领域应用极为广泛。
准备好硅衬底材料
Boron局部注入形成场限环
Hardmask形成：通过CVD+光刻刻蚀
沟槽形成：深槽刻蚀
沟槽形成：栅极氧化和多晶填充
元胞注入：N型注入和P型注入
正面金属形成：通过ILD淀积、接触孔刻蚀和金属溅射同步完成Emitter电极和终端区的金属场板
背面形成：N型注入、P型注入后金属溅射完成背面Collecter电极加工
好了，IGBT芯片的整个加工流程介绍完了，步骤里面只提到了Emitter和Collecter电极，那么大家想一想Gate电极又是在哪部形成的呢？
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原文标题：IGBT芯片工艺流程
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