GaN快充电源芯片U8607的主要特征

在GaN快充问世的前两年，许多人还处在观望状态，然而再经过两年之后，GaN在快充上的应用已经愈发成熟，并席卷快充市场。GaN等第三代半导体的出现，为各相关领域带来了突破性的进展。伴随其在5G通信基站和消费电子业务的确定性增长，待技术进一步更新之后，GaN将在未来几年内在高功率电源、新能源汽车、数据中心等领域大范围应用。如果您还在犹豫，不妨先了解下深圳银联宝科技集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率快充电源芯片U8607！

快充电源芯片U8607是一款集成E-GaN的恒压恒流PSR反激功率开关管，可为18~65W适配器应用提供全新的解决方案。U8607采用原边反馈控制，可节省光耦和TL431，简化电源BOM。它合封第三代半导体GaN FET，最高工作频率130kHz，有利于降低电源尺寸。

快充电源芯片U8607主要特征：

1、原边反馈控制，无需光耦和 TL431

2、集成 700V GaN FET 驱动

3、集成高压启动功能

4、谷底锁定 QR 模式

5、最高工作频率 130kHz

6、外置环路补偿

7、驱动电流分档配置

8、内置线损补偿

9、集成完善的保护功能：

输出短路保护 (FB SLP)

输出过压保护 (FB OVP)

输入欠压保护 (Line BOP)

输出过压保护 (Line OVP)

过温保护 (OTP)

VDD 过欠压保护和钳位保护

10、封装形式 ASOP7-T4

快充电源芯片U8607集成谷底锁定技术可以防止频率抖动产生噪音。它采用CS Jitter技术，通过调制峰值电流参考值实现频率抖动，以优化系统EMI。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变，产生噪音，U8607采用了谷底锁定工作模式，在负载一定的情况下，导通谷底数稳定，系统无噪音。

GaN的出现，也影响着电感变压器等充电器中元器件的应用。通常来讲，充电器输出功率的增加，充电器的体积也要相应扩大。然而快充充电器比我们设想的要小、要薄。因为与普通半导体的硅材料相比，GaN的带隙更宽且导热好，能够匹配体积更小的变压器和大功率电感。尤其是变压器，它的形状很大程度上决定了充电器外观的设计。趋势不可挡，想要了解更多GaN快充电源芯片，就找深圳银联宝！