0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

万年芯:“国家队”出手!各国角逐碳化硅/氮化镓三代半产业

万年芯微电子 2024-08-10 10:07 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料被认为是当今电子电力产业发展的重要推动力,已在新能源汽车、光储充、智能电网5G通信微波射频消费电子等领域展现出较高应用价值,并具有较大的远景发展空间。以碳化硅为例,根据咨询机构报告,预估2028年全球碳化硅功率器件市场规模有望达到91.7亿美元(约663.53亿人民币)。在万年芯等企业看来,各国“国家队”的出手,正是为第三代半导体产业的稳健发展伸出援手。

“国家队”出手,细看各国对碳化硅/氮化镓政策

wKgZoma2yhKAU6eWAANiFI_d8Pk772.png图片源于集邦化合物半导体

早在2021年,国内就出台了一系列相关政策,全面加大了对第三代半导体产业的支持和投入力度(如图所示)。而近期,河北、陕西等省发布了第三代半导体相关支持政策,表明各地进一步加大对第三代半导体产业的扶持力度。其中,河北印发的《关于支持第三代半导体等5个细分行业发展的若干措施》,包括在第三代半导体关键芯片与器件、衬底和外延、光刻胶等领域组织实施一批技术改造项目,积极争取将在建和拟建第三代半导体重点项目纳入国家“十四五”重大项目储备库。陕西则印发《陕西省培育千亿级第三代半导体产业创新集群行动计划》,将重点开展第三代半导体材料工艺技术与核心产品攻关,打通晶体材料高效生长、器件设计制造等产业发展关键节点,打造千亿级第三代半导体产业创新集群。

国际方面,美国政府高度重视半导体产业的发展,特别是第三代半导体领域。美国通过《芯片与科学法案》(Chips for America Act)等立法,提供资金支持和税收优惠,以促进本土半导体产业的发展。此外,美国还通过国防高级研究计划局(DARPA)等机构,支持第三代半导体材料的研究和应用。欧盟通过“地平线2020”计划(Horizon 2020)等项目,支持半导体材料的研究和创新。欧盟还通过“欧洲共同利益重要项目”(IPCEI)等机制,提供资金支持,促进成员国在第三代半导体领域的合作和创新。此外,日本通过“新经济成长战略”等政策,韩国通过“半导体超级大国战略”等政策,德国政府通过“高科技战略”等政策,支持半导体材料的研发和产业化,其中包括促进第三代半导体材料的发展。目前,全球各国都在从政策方面持续对第三代半导体产业进行引导和扶持,有助于推动第三代半导体在各个领域的进一步渗透。

“惠及”上下游,加码三代半产业扶持

除政策引导和扶持外,在资金补贴方面,各国对于第三代半导体产业发展投入较大,且正在不断加码。

这些补助体现了各国政府对第三代半导体产业重要性的认识,以及确保本国在全球第三代半导体供应链中保持竞争力的决心。通过这些补助,各国旨在推动第三代半导体技术升级、产能扩大。

除此之外,各国“国家队”在多个方面支持第三代半导体产业链上下游厂商,参与这场日益火热的全球第三代半导体产业争夺战。“国家队”出手,在壮大本国第三代半导体产业实力的同时,有望带动更多本国厂商加入投建第三代半导体产业的大军。在政策扶持和资金支持双重力量推动下,第三代半导体产业呈现加速发展态势,从项目落地实施方面可窥见一斑。仅2024年上半年,国内就有数十个碳化硅相关项目披露新进展。而在技术研发和产业化方面,通过产学研合作,国家主导建设的科研机构和高校助力三代半相关厂商加速实现技术升级迭代和产业化。

万年芯:三代半企业应专注研发,迎接政策

各国对于三代半产业的引导和扶持,体现了对相关领域的重视,有助于加速技术突破。同时,国家的重视和支持,还能够带动地方政府和民间资本的投入,形成国家引导、地方支持、民间投资的多元化投融资格局。在万年芯看来,这也为国内外众多三代半企业打了一剂强心针。

关于碳化硅功率器件,万年芯研发包含SiC PIM模块、智能功率模块(IPM)、半桥SiC模块和超低内阻SiC MOSFET等。SiC IPM模块系列产品,封装使用AMB/DBC陶瓷基板和焊片,内置性能强大的驱动芯片、6-12颗SiC功率芯片、温度传感芯片,电压650V~1200V,功率300~5000W,适用于驱动电机的变频器和各种逆变电源;超低内阻SiC MOSFET系列产品,采用自主研发的框架结构,650V系列产品最低Rdon为5毫欧,1200V系列产品最低Rdon为7毫欧;TO247-4PHC封装具有强大的过流能力(持续电流200A)、耐压能力(3300V),适用于40-60KW充电桩电源、100KW工商储能PCS、5G电源、太阳能光伏逆变器、电网、高铁、汽车等行业。

wKgZomasfa-ALxANAAT0kgRZeU8906.png

江西万年芯微电子有限公司成立于2017年,是一家专业从事集成电路、存储芯片、传感器类产品、大功率模块及功率器件等封装测试研发的高新科技企业。目前已获得国内专利134项,是国家专精特新“小巨人”企业、“国家知识产权优势企业”,拥有国家级博士后工作站,为海关AEO高级认证企业,将坚持以实力推动科技创新的高质量发展。

整体来看,各国引导和扶持第三代半导体产业,不仅能够推动产业的技术进步和产业升级,还能够在保障产业链安全、提升国际竞争力等方面发挥重要作用。随着各国加大扶持力度,第三代半导体产业的国际竞争将加剧。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3525

    浏览量

    68191
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3321

    浏览量

    51730
  • 第三代半导体

    关注

    3

    文章

    173

    浏览量

    7780
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用

    基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用 第一章:B3M技术平台架构前沿 本章旨在奠定对基本半导体(BASIC Semiconductor)B3M系列的技术认知
    的头像 发表于 10-08 13:12 416次阅读
    基本半导体B3M平台深度解析:第<b class='flag-5'>三代</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET技术与应用

    碳化硅器件的应用优势

    碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了
    的头像 发表于 08-27 16:17 1118次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的应用优势

    江苏集首枚8英寸液相法高质量碳化硅单晶出炉​

    ,标志着江苏集在第三代半导体核心材料领域再下一城,也为我国碳化硅产业链的自主可控写下关键一笔。 碳化硅晶体是第
    的头像 发表于 08-05 17:17 554次阅读

    基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET桥模块

    基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET桥模块,该系列产品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术,在比导通电阻、开关损耗、可靠性等方面表现更出色。
    的头像 发表于 08-01 10:25 1166次阅读
    基本半导体推出34mm封装的全<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET<b class='flag-5'>半</b>桥模块

    碳化硅晶圆特性及切割要点

    01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化碳化硅应用的基石。碳化硅衬底以
    的头像 发表于 07-15 15:00 867次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圆特性及切割要点

    EAB450M12XM3全碳化硅桥功率模块CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科锐)生产的1200V、450A全碳化硅桥功率模块,致力于高功率、高效化技
    发表于 06-25 09:13

    电镜技术在第三代半导体中的关键应用

    三代半导体材料,以碳化硅(SiC)和氮化(GaN)为代表,因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现,正在成为半导体领域的重要发展方向。在这些材料的制程中,电镜技术发挥着
    的头像 发表于 06-19 14:21 503次阅读
    电镜技术在第<b class='flag-5'>三代</b>半导体中的关键应用

    SiC碳化硅三代半导体材料 | 耐高温绝缘材料应用方案

    发展最成熟的第三代半导体材料,可谓是近年来最火热的半导体材料。尤其是在“双碳”战略背景下,碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业,众瞩目。陶瓷方面,
    的头像 发表于 06-15 07:30 827次阅读
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>第<b class='flag-5'>三代</b>半导体材料 |  耐高温绝缘材料应用方案

    基于干线氮化碳化硅的100W电源适配器方案

    半导体器件作为现代电子技术的核心元件,广泛应用于集成电路、消费电子及工业设备等场景,其性能直接影响智能终端与装备的运行效能。以氮化(GaN)和碳化硅(SiC)为代表的第三代宽禁带半导
    的头像 发表于 06-05 10:33 2317次阅读
    基于<b class='flag-5'>芯</b>干线<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>与<b class='flag-5'>碳化硅</b>的100W电源适配器方案

    基于氮化碳化硅功率MOSFET高频谐振栅极驱动器

    对于碳化硅(SiC)或氮化(GaN)等宽禁带(WBG)功率器件而言,优化的栅极驱动尤为重要。此类转换器的快速开关需仔细考量寄生参数、过冲/欠冲现象以及功率损耗最小化问题,而驱动电路在这些方面都起着
    的头像 发表于 05-08 11:08 1040次阅读
    基于<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>的<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率MOSFET高频谐振栅极驱动器

    纳微半导体氮化碳化硅技术进入戴尔供应链

    近日,GaNFast氮化功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)今日宣布其氮化
    的头像 发表于 02-07 13:35 1129次阅读
    纳微半导体<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>和<b class='flag-5'>碳化硅</b>技术进入戴尔供应链

    为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化器件?

    650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化器件
    的头像 发表于 01-23 16:27 1654次阅读
    为什么650V SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>镓</b>器件?

    三代半导体厂商加速出海

    近年来,在消费电子需求带动下,加上新能源汽车、数据中心、光伏、风电、工业控制等产业的兴起,以碳化硅氮化为代表的第三代半导体厂商发展迅速。
    的头像 发表于 01-04 09:43 1164次阅读

    SiC市场激烈,万年碳化硅领域的深耕与展望

    2024进入尾声,中国碳化硅(SiC)却迎来一波“新陈代谢”:前有新玩家涌入-格力碳化硅芯片工厂建成投产;后有老玩家退场-世纪金光破产清算。碳化硅行业市高投入、高研发、高设备投入的行
    的头像 发表于 12-20 16:41 1199次阅读
    SiC市场激烈,<b class='flag-5'>万年</b><b class='flag-5'>芯</b>在<b class='flag-5'>碳化硅</b>领域的深耕与展望

    三代半导体产业高速发展

    当前,第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化(GaN)功率器件产业高速发展。其中,新能源汽车市场的快速发展是第
    的头像 发表于 12-16 14:19 1302次阅读