新型EUVL技术问世，超越半导体制造标准线

来源：Trend Force

据STDaily援引日本冲绳科学技术研究生院（OIST）官网近日报道称，该大学设计出一种超越半导体制造标准边界的极紫外（EUV）光刻技术。

基于此设计的光刻设备可以使用更小的EUV光源，功耗不到传统EUV光刻设备的十分之一，可降低成本并大幅提高设备的可靠性和寿命。

在传统光学系统（如照相机、望远镜和常规紫外光刻技术）中，光圈和透镜等光学元件沿直轴对称排列。这种方法不适用于极紫外射线，因为其波长极短，大部分会被材料吸收。

因此，EUV光使用新月形镜子进行引导，但这会导致光偏离中心轴，牺牲重要的光学特性并降低系统的整体性能。

为了解决这个问题，新的光刻技术通过将两个带有微小中心孔的轴对称镜子排列在一条直线上来实现其光学特性。由于EUV的吸收率很高，每次镜子反射都会使能量减弱40%。

按照行业标准，EUV光源能量经过10面镜子后，仅有约1%能够到达晶圆，这对EUV光输出的要求非常高。

相比之下，将从EUV光源到晶圆的镜子数量限制为总共四个，可使超过10％的能量穿透晶圆，这可以大大降低功耗。

新型 EUV 光刻技术的核心投影仪由两面类似天文望远镜的镜子组成，可以将光掩模图像转移到硅片上。该团队声称，这种配置非常简单，因为传统投影仪至少需要六面镜子。

这是通过重新思考光学像差校准理论实现的，其性能已经通过光学仿真软件验证，意味着它可以满足先进半导体的生产要求。

此外，团队还为此项新技术设计了一种名为“双线场”的新型照明光学方法，即利用EUV光从正面照射平面镜光罩，而不会干扰光路。

审核编辑 黄宇