0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

SemiQ 1200V SiC MOSFET Module说明介绍

深圳市浮思特科技有限公司 2024-05-16 11:16 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

SiC MOSFET模块是一种基于碳化硅(SiC)材料的功率半导体器件,它结合了MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)的高效开关特性和SiC材料的优异性能。与传统的硅基MOSFET相比,SiC MOSFET模块具有更高的工作温度、更低的导通电阻、更快的开关速度和更好的热导率,SiC MOSFET模块的引入有助于提高系统效率,减小系统尺寸和重量,是现代电力电子技术的重要进步。

wKgaomZFel2AYam-AABGysdp7-o349.pngSiC MOSFET Module

SemiQ 的 SiC MOSFET 模块的开关损耗接近于零,大大提高了效率,减少了散热,并且需要更小的散热器。这些优点使 SemiQ 的产品成为各种应用的理想选择,包括直流电源设备的电源、感应加热整流器、焊接设备、高温环境、太阳能逆变器电机驱动器、电源、充电站等。

SemiQ 1200V SiC MOSFET 模块系列产品:

wKgZomZFemyAK9keAACIVTnS4W4843.png

SiC MOSFET Modules引出线和电路图:

wKgZomZFenaAZLtkAAAes1CzplI121.png

SemiQ 1200V SiC MOSFET 模块优势介绍:

封装高度降低,电感降低

开关损耗低

低结到外壳热阻

非常坚固且易于安装

直接安装到散热器(独立封装)

特征:

高速开关SiC MOSFET

可靠的体二极管

所有部件均测试到1350V以上

用于稳定操作的开尔文参考

隔离底板

应用:

光伏和风力逆变器

电动汽车/电池充电器

储能系统

高压直流-直流转换器

感应加热

SMPS和UPS

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    9413

    浏览量

    229616
  • 半导体
    +关注

    关注

    336

    文章

    29977

    浏览量

    258224
  • Module
    +关注

    关注

    0

    文章

    74

    浏览量

    13485
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    安森美1200V碳化硅MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性与应用分析

    在电力电子领域,碳化硅(SiCMOSFET凭借其卓越的性能,正逐渐成为众多应用的首选功率器件。今天,我们就来深入探讨安森美(onsemi)推出的一款1200V碳化硅MOSFET——N
    的头像 发表于 12-04 15:19 180次阅读
    安森美<b class='flag-5'>1200V</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>:NTH4L013N120M3S的特性与应用分析

    基本半导体1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块Pcore 2系列介绍

    基本半导体推出62mm封装的1200V工业级碳化硅MOSFET半桥模块,产品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技术,在保持传统62mm封装尺寸优势的基础上,通过创新的模块设计显著降低了模块杂散电感,使碳化硅
    的头像 发表于 09-15 16:53 855次阅读
    基本半导体<b class='flag-5'>1200V</b>工业级碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>半桥模块Pcore 2系列<b class='flag-5'>介绍</b>

    派恩杰第三代1200V SiC MOSFET产品优势

    1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的栅氧层可靠性和优异的高温特性,专为高压、高频、高温应用设计。相比传统硅基MOSFET
    的头像 发表于 09-03 11:29 937次阅读

    加速落地主驱逆变器,三安光电1200V 13mΩ SiC MOSFET完成验证

      电子发烧友网综合报道 近日,三安光电在投资者平台上表示,其主驱逆变器用SiC MOSFET1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ,在国内头部电动车企客户处的摸底模块验证已
    的头像 发表于 08-10 03:18 8034次阅读

    瞻芯电子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量产交付应用

    近期,中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品,凭借优秀的性能与品质赢得多家重要客户订单,已量产
    的头像 发表于 07-16 14:08 916次阅读
    瞻芯电子第3代<b class='flag-5'>1200V</b> 35mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>量产交付应用

    基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的产品力分析

    从基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的产品力分析,中国SiC碳化硅MOSFET产业已实现显著
    的头像 发表于 06-19 17:02 649次阅读
    基本股份B3M013C120Z(碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>)的产品力分析

    闻泰科技推出车规级1200V SiC MOSFET

    ,闻泰科技半导体业务近期推出领先行业的D2PAK-7封装车规级1200V SiC MOSFET,为电动汽车行业注入强劲新动能。
    的头像 发表于 05-14 17:55 952次阅读

    SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模块:高效能、超快开关与卓越热管理

    近日,半导体技术公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技术的1200VSOT-227MOSFET模块系列。该系列产品采用先进的共封装设计,具备更快的开关速度、更低的导通与开关损耗,适用于
    的头像 发表于 04-25 11:39 907次阅读
    <b class='flag-5'>SemiQ</b>新一代<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>模块:高效能、超快开关与卓越热管理

    SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模块,助力紧凑型高性能电源系统

    在高电压和高效率应用领域,SemiQ作为一家领先的设计和开发企业,近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模块。这些创新模块旨在支持更为紧凑且具有成本效益的系
    的头像 发表于 04-17 11:23 650次阅读
    <b class='flag-5'>SemiQ</b>高效<b class='flag-5'>1200</b> <b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>六合一模块,助力紧凑型高性能电源系统

    Nexperia推出采用X.PAK封装的1200V SiC MOSFET

    Nexperia(安世半导体)正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET
    的头像 发表于 03-21 10:11 1116次阅读

    Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用创新X.PAK封装技术

    近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,专为满足工业应用中的高效能和耐用性需求而设计。这些新产品不仅具备卓越的温度稳定性,还采用了先进的表面贴装(SMD
    的头像 发表于 03-20 11:18 888次阅读
    Nexperia推出高效耐用的<b class='flag-5'>1200</b> <b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>,采用创新X.PAK封装技术

    SemiQ第三代SiC MOSFET:车充与工业应用新突破

    SemiQ最新发布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代产品基础上实现突破性升级,芯片面积缩小20%,开关损耗更低,能效表现更优。该产品专为电动汽车充电桩、可再生
    的头像 发表于 03-03 11:43 1375次阅读
    <b class='flag-5'>SemiQ</b>第三代<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>:车充与工业应用新突破

    国产SiC MOSFET在T型三电平拓扑中的应用分析

    的优势与SiC MOSFET适配性 电压应力降低 T型三电平拓扑中,每个开关器件仅承受母线电压的一半(如1200V母线下器件承受600V)。 BASiC基本股份(BASiC Semic
    的头像 发表于 02-24 22:30 917次阅读
    国产<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>在T型三电平拓扑中的应用分析

    SemiQ发布1700V SiC MOSFET新品

    近日,全球碳化硅(SiC)功率半导体领域的知名制造商SemiQ,正式推出了一款专为中压大功率转换应用而设计的1700V SiC MOSFET
    的头像 发表于 01-23 15:46 874次阅读

    SemiQ推出1700 V SiC MOSFET系列,助力中压大功率转换领域

    近日,全球知名碳化硅(SiC)功率半导体制造商SemiQ正式发布了一款1700 V SiC MOSFET系列新品,专为中压大功率转换应用设计
    的头像 发表于 01-22 11:03 1134次阅读
    <b class='flag-5'>SemiQ</b>推出1700 <b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>系列,助力中压大功率转换领域