在LED驱动电源设计领域,不断追求更高性能和成本效益是行业发展的驱动力。士兰微电子以先进的高压MOS工艺平台为基础,以其卓越的稳定性和成熟制造工艺,成为LED照明驱动芯片内置MOS的首选。
今天,为你带来小体积、高效率、低成本的两级无频闪隔离LED照明驱动方案。
LED照明驱动新方案
以下是士兰微电子LED驱动照明带来的40W(40V/1A)两级新方案:
SDH7523S+SD7863DL,此DEMO参数对比与原来方案对比一览图如下。

经过芯片和电源方案的进一步优化,结合士兰的硅材料MOS,最新方案将带来如下更佳的提升和体验:
整机和变压器体积下降10%-30%;
整机工作效率提升≥0.3%;
输出超宽范围,输出恒流负载特性优异≤2%;
经济效益提升,方案成本下降≥¥1(变压器/PCB/整机外壳/输出电解等);
相比氮化镓材料,硅材料多外延工艺MOS更成熟稳定。
40W DEMO整机


后级反激PSR恒流控制器-SD786XDL系列内置Si-MOS(硅材料MOSFET),在搭配前级APFC升压电路,其MOS的导通损耗占比很小,且IC也工作在BCM临界导通模式,极大的降低MOS的开关损耗,针对此点,我们重新优化电源设计、提高整机的工作开关频率,极大限度发挥传统Si-MOS在LED驱动电源的应用水平。
传统Si-MOS的成熟稳定,可保证LED驱动产品的更加可靠。士兰微电子将不断结合自身的工艺平台特点,发挥IDM模式的优势,为客户带来成熟稳定且具有成本优势的解决方案。
审核编辑:刘清
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原文标题:士兰微电子LED照明驱动两级无频闪隔离降本增效方案推荐
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