新质生产力赋能高质量发展，青禾晶元突破8英寸SiC键合衬底制备！

4月11日，青禾晶元官方宣布，公司近日通过技术创新，在SiC键合衬底的研发上取得重要进展，在国内率先成功制备了8英寸SiC键合衬底。

对比6英寸SiC晶圆，8英寸SiC晶圆可用面积几乎增加一倍，芯片产出可增加80-90％，SiC晶圆升级到8英寸将会给汽车和工业客户带来重大收益。因此，SiC晶圆走向8英寸是业界公认的发展趋势。

SiC长晶受限于生长良率低、周期长等瓶颈导致成本无法有效降低。先进SiC键合衬底技术可以将高、低质量SiC衬底进行键合集成，有效利用低质量长晶衬底，与长晶技术一同推进SiC材料成本显著降低，实现高效地将过剩的传统生产力转化为新质生产力。

青禾晶元表示，通过技术创新，进一步巩固了青禾晶元在该领域的引领地位，有望加速8英寸SiC衬底量产进程，为产业界客户提供更具竞争力的价格。

青禾晶元集团是国际上少数掌握全套先进半导体衬底键合集成技术的半导体公司之一，致力于将国际前沿的半导体材料融合技术产业化，获得了多家知名产业方和社会资本的广泛认可。

青禾晶元半导体成立于2020年7月，公司采用具有自主知识产权的先进技术，可实现半导体材料生长、异质融合与先进封装，有效的解决先进半导体材料或器件良率低、成本高、性能受限等痛点问题。

公司致力于成为领先的晶圆异质集成技术与方案的提供商，面向第三代半导体、先进封装、功率模块集成等应用领域，专注于新型半导体材料的研发生产制造和先进技术研究。公司核心团队包含教授级专家、海外高层次人才、市场战略专家、资深生产专家和管理专家等。从2020年至今相继投资设立了专注于满足市场需求的键合复合衬底生产线、技术研发中心等平台。

青禾晶元的Emerald-SiC产品是基于公司创新的先进晶圆键合与剥离转移技术实现的高/低质量SiC复合衬底材料,可以有效降低现有SiC衬底材料的成本,并在一定程度上提高器件性能。Emerald-SiC的推广与普及将进一步打开SiC器件的应用场景,助力SiC行业的高质量发展。

青禾晶元的Obsidian-POI产品是基于公司创新的先进晶圆键合与剥离转移技术实现的压电复合衬底材料，可以有效提升声表面波器件性能,可以广泛应用于5G手机与基站等应用场景。公司的创新键合技术和产品可实现晶圆、芯片的室温或低温键合,降低热应力影响。

以键合技术为核心，依托其它半导体加工领域的核心技术如离子注入、表面处理、清洗、检测、修复等，公司面向晶圆级材料异质集成、三维堆叠、先进封装、超精密加工等领域提供技术服务和整体解决方案，可实现多种材料和芯片的异质异构融合。

审核编辑：刘清