华润微电子（重庆）有限公司GaN基HEMT器件及制作方法专利公布
最新公告显示，华润微电子（重庆）公司研发出一种新型GaN基HEMT器件及其制造工艺，已于2024年4月5日申请专利并得到公开查询（CN117832254A）。
此项发明主要涉及在衬底上构建外延叠层，并在此基础上制备栅极、漏极和源极；同时，在器件有源区周围形成屏蔽环层，并利用第一和第二金属互连层将衬底与源极连接起来。此外，还会在第二金属互连层上覆盖钝化保护层，并以此作为源极与衬底共用焊盘、漏极焊盘以及栅极焊盘的基础。
相较于传统技术，本发明的优势在于，它能在芯片内部建立互连结构，从而实现衬底与器件源极的直接连接，无需额外设立衬底焊盘进行接地，这大大提高了源极焊盘和漏极焊盘在芯片面积中的比例，从而增强了电流导通能力，降低了寄生参数，使电流分布更加均匀，有助于改善器件的散热效果，进而提高其稳定性。
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