SK海力士与三星将率先量产1c纳米DRAM

4月9日，韩国媒体Businesskorea传来了振奋人心的消息，全球内存领域的两大巨头SK海力士和三星电子均有望在年内率先将1c纳米DRAM内存推向大规模生产阶段。

随着制程技术的飞速发展，内存行业已昂首阔步迈入20~10nm制程的新纪元。在这个崭新的技术时代，业界以一种新颖的方式——1+字母的形式，为内存的世代命名。1c nm，即业界所指的1-gamma nm，它标志着内存技术迈入了第六个10+nm制程世代。在此之前，三星方面对前一代技术——1b nm制程的称呼是“12nm级”。

在近期举办的行业盛会Memcon 2024上，三星公司透露了其宏伟的量产计划，预计在今年年底前，他们将成功实现1c nm制程的批量生产。与此同时，据行业内部知情人士透露，SK海力士也早已制定了详尽的路线图，并计划在今年三季度正式启动1c nm DRAM内存的量产。

为了迅速捕捉市场机遇，SK海力士正积极筹备，一旦1c nm内存通过行业的严格验证，他们便将迅速向微软、亚马逊等重量级客户供货。这一战略举措无疑将大大增强SK海力士在全球内存市场的竞争地位。

对于三星电子和SK海力士而言，下一代内存产品的量产有望进一步提升EUV光刻技术的使用频率。这种先进的技术在减小线宽、提升速率的同时，还能带来显著的能效提升。此前，美光公司已率先宣布，将在1-gamma纳米节点首次引入EUV技术，并预计于2025年实现量产，目前该公司已顺利完成试产。

与此同时，台湾的南亚科技也在内存技术的研发道路上奋力前行，他们正在积极研发首代DDR5内存产品，并有望在年内推向市场。这一系列的技术进步与创新，无疑将引领全球内存市场迈向一个全新的发展高峰。

审核编辑：黄飞