西安紫光国芯引领创新，SeDRAM®技术突破存储瓶颈

2024年3月17日至18日，集成电路科学技术大会2024（CSTIC 2024）在上海国际会议中心举办。CSTIC由SEMI和IEEE-EDS联合主办，是中国规模最大、最全面的年度半导体技术会议。西安紫光国芯半导体股份有限公司副总裁左丰国在会上发表了《用SeDRAM技术在芯片级突破存储墙》的精彩演讲，重点介绍了堆叠嵌入式DRAM技术以及公司利用该技术在AI时代突破“存储墙”问题的芯片级解决方案。

随着AI技术的迅猛发展，特别是在大模型进入应用落地的近几年，行业对于算力芯片性能提升的需求急剧攀升。从系统的角度，西安紫光国芯也看到，算力芯片搭配的存储系统已成为制约其性能发挥的关键瓶颈，可以说，AI时代的“存储墙”问题愈发凸显。

SeDRAM技术可提供芯片内每秒数十TB的内存访问带宽

西安紫光国芯堆叠嵌入式DRAM技术（SeDRAM）可为算力芯片提供每秒数十TB的内存访问带宽，同时容量最高可达数十GB。SeDRAM技术是利用异质集成（Hybrid Bonding）工艺将DRAM存储阵列晶圆和逻辑晶圆做3D堆叠，实现金属层直接互连，相比传统HBM或DDR内存方案去掉了PHY-PHY互连结构，从而实现两者之间的超大带宽、超低功耗和低延迟的数据互连。

左丰国表示：“西安紫光国芯从2013年开始开发堆叠嵌入式DRAM技术，2019年公司SeDRAM技术产品化研发成功，我们一直在这项技术上进行持续的技术创新和投入。公司看重的，正是这项技术在AI和大算力时代解决存储墙问题的巨大潜力。我们也很高兴地看到，SeDRAM技术已经被用在了一些极致高性能算力芯片的设计中。” 西安紫光国芯SeDRAM技术处于行业领先水平。过去几年，数十款搭载西安紫光国芯SeDRAM技术的芯片产品已完成研发或实现量产出货，其应用落地案例数量在行业内遥遥领先。值得一提的是，目前最新的第三代SeDRAM技术可提供每秒数十TB的访存带宽和数十GB的内存容量，是专门为AI、HPC等应用场景设计打造的高性能存储方案。

SeDRAM技术的应用前景和优势

在演讲及提问环节，西安紫光国芯SeDRAM技术方案的应用前景和优势引起了与会嘉宾的极大兴趣和热烈反响。

应用SeDRAM技术方案的芯片在设计上完全兼容经典的芯片开发流程。在逻辑芯片的开发过程中，SeDRAM相关的IP组件作为常规的IP模块被设计集成，产品芯片开发人员完全可以按照典型的芯片开发流程完成所有的设计工作。我们也看到，SeDRAM技术方案正在越来越容易、越来越灵活的被集成到各类不同的芯片设计中。此外，凭借多年来在数十个3D芯片上成功的工程实践经验，西安紫光国芯能够最大程度地帮助客户快速实现设计收敛，控制产品研发风险。

此次CSTIC 2024大会的成功举办，不仅为业内企业提供了一个交流合作的平台，也展示了中国在半导体技术领域的强大实力和创新能力。未来，西安紫光国芯将继续坚持技术创新，在保持SeDRAM技术业界领先水平的同时，结合更多的产品应用落地实践经验，为广大用户提供更优的高性能大带宽DRAM内存解决方案。

审核编辑：刘清