帝奥微SIM卡电平转换DIO74557通过Qualcomm中高端平台参考设计认证

江苏帝奥微电子股份有限公司（以下简称帝奥微）SIM卡电平转换产品DIO74557凭借其优异的性能指标，成功通过高通平台认证，进入Qualcomm（高通）发布的中高端平台参考设计。

随着手机平台的不断发展，主芯片的制程已经使用4nm甚至3nm工艺，其I/O逻辑电平可低至1.2V。目前SIM卡主要采用1.8V或者3V的逻辑电平接口。为了让手机主芯片能与SIM卡端逻辑电压兼容，需要在主芯片和SIM卡之间使用电平转换芯片。为此帝奥微推出SIM卡电平转换芯片DIO74557。

DIO74557主要参数

SIM卡端工作电压范围：1.65V~ 3.6V

主机微控制器端工作电压范围：1.08V~1.95V

最高支持时钟速度：10 MHz

内部集成EMI滤波器

端口ESD保护能力：SIM卡端引脚均满足IEC61000-4-2接触放电保护±8kV和空气放电保护±15KV

无需额外的外部电阻，内部集成上拉和下拉电阻

符合所有ETSI、IMT-2000 和 ISO-7816-3 SIM/智能卡接口要求

工作温度范围：-40℃~85℃

DIO74557应用框图

DIO74557是专为用于连接先进制程的主芯片和SIM卡（1.65V~3.6V）而设计的具有低电压主机端（1.08 V~1.95 V）芯片。它包含三路电平转换器，将SIM卡的I/O、RST和CLK信号进行电平转换，使得SIM卡（1.8V或3V）能与主芯片（1.2V）进行正常通讯。它内部集成I/O上拉电阻和ESD保护，无需外部上拉电阻或者ESD保护器件，可提供更加小型化的整体解决方案。

DIO74557符合所有ETSI、IMT-2000 标准和 ISO-7816-3 SIM/智能卡接口要求。DIO74557采用QFN1.8*1.4-10封装，工作温度范围为-40℃~85℃。

帝奥微有一系列的电平转换产品，涵盖SIM卡电平转换以及通用单通道、双通道、四通道、八通道电平转换。推挽及开漏可选，多种封装可选。具体参考如下表：

审核编辑：刘清