融资规模约3亿美元！英诺赛科计划最早于今年内在香港进行IPO

这家TOP 1 氮化镓厂商终于要上市了！

就在刚刚，据《路透社》旗下IFR最新消息，英诺赛科计划最早于今年内在香港进行IPO，融资规模约3亿美元（约21.6亿人民币）。

目前，英诺赛科正与中金公司和招银国际就上市事宜进行合作。

英诺赛科成立于2015年，是全球领先的氮化镓IDM企业。今年2月初，英诺赛科公布了2023年出货量等一系列成果——截止12月，英诺赛科氮化镓出货量突破5亿颗，市占率全球第一。

项目方面，英诺赛科在近年来也在积极扩产：

●早在2017年11月，英诺赛科就在珠海建成投产全球首条8英寸硅基氮化镓生产线。

●2018年6月，英诺赛科苏州项目正式落户；2021年6月，英诺赛科苏州8英寸硅基氮化镓生产线宣布量产。

●2023年11月，英诺赛科正式在苏州启用了全球研发中心，将开展8英寸GaN器件等技术技术研究，打造新型宽禁带半导体材料与器件研发基地；同期，英诺赛科还举行了“8英寸硅基氮化镓芯片生产线建设项目第二阶段产能扩展”项目（即三期银团）贷款签约仪式，获得13亿元人民币的项目融资贷款用于支持英诺赛科未来两年的扩产计划。

新品开发及市场开拓方面，英诺赛科在去年推出了700V高压GaN等产品；针对服务器、光伏等高功率市场推出了650V 产品，为拓展更多应用场景做准备。早在2021年，英诺赛科还量产了自研双向导通VGaN产品并导入OPPO手机，成为当时全球首款导入智能手机内部电源开关领域的GaN芯片。

可以预见，英诺赛科在GaN领域保持着积极向上的态势，若在今年成功IPO，接下来的表现会更值得期待。

审核编辑：刘清