据台湾媒体《经济日报》报道,铠侠计划提高NAND闪存产能,引起下游厂商群联与威刚的关注。此前曾有报道指出,铠侠将调整其NAND闪存产量下降政策,预计本月内生产率提升至90%。针对这一变化,群联首席执行官潘建成和威刚董事长陈立白,分别发表了各自见解。
潘建成表示,群联当前正面临供应短缺问题,若NAND闪存制造商以合理价格提供稳定的供应,将有助于缓解群联的困境。他认为,原厂扩大产能,有利于维护NAND市场秩序,使价格合理回归,否则过高的涨势会打压下游厂商需求。
对于各下游厂商来说,现有低价NAND存储总有耗尽之时。如价格持续攀升,进货成本将承受巨大压力。
陈立白则从另一角度分析,尽管铠侠眼下可能还处在亏损状态,但提振产能无疑是非常必要的举措。然而,即便本月内提高产能,NAND发货量的增加也需要到6月份才能显现,那时闪存售价已经达到盈亏平衡点。陈立白强调,威刚手头上还有超过新台币200亿元(约合45亿6千万元人民币)的低价NAND闪存储备。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
闪存
+关注
关注
16文章
1688浏览量
114226 -
NAND
+关注
关注
16文章
1543浏览量
134791 -
铠侠
+关注
关注
1文章
68浏览量
7530
发布评论请先 登录
相关推荐
三星量产第九代V-NAND闪存芯片,突破最高堆叠层数纪录
三星公司预计将于今年四月份大批量生产目前行业内为止密度最大的290层第九代V-NAND (3D NAND) 闪存芯片,这是继之前的236层第八代V-NAND后的显著
三星大幅削减NAND产量至50%以下,市场供应或将受影响
该报告援引“业内人士”的话说,三星从去年年底开始缩减NAND产能,现在才开始向下游市场渗透。三星也不回避自己的战略,一位发言人表示:“我们减少NAND产能的态度没有改变。
发表于 04-02 11:32
•132次阅读
铠侠提升NAND闪存产能利用率
据最新报道,全球领先的NAND闪存制造商铠侠已决定重新审视其先前的减产策略,并计划在本月内将开工率提升至90%。这一策略调整反映出市场需求的变化和公司对于行业发展的积极预期。
铠侠NAND产能预计恢复90%,减产策略或面临调整
2022年10月起,铠侠已经减少了在日本四日市和北上市两家工厂的NAND晶圆投片量达30%。截至目前,铠侠NAND生产已恢复至原厂产能的两成左右。
华秋DFM荣获2023年度电子信息行业可靠性质量提升典型案例
在11月25日由中国电子信息行业联合会与盐城市人民政府联合主办的“2023中国电子信息行业发展大会”上, 华秋DFM软件凭借其卓越的技术实力帮助电子制造产业质量提升,荣获了2023年度电子信息
发表于 12-08 10:09
华秋DFM软件荣获2023年度电子信息行业可靠性质量提升典型案例
在11月25日由中国电子信息行业联合会与盐城市人民政府联合主办的“2023中国电子信息行业发展大会”上, 华秋DFM软件凭借其卓越的技术实力帮助电子制造产业质量提升,荣获了2023年度电子信息
发表于 12-08 10:06
三星将削减NAND和DRAM平泽P3晶圆厂投资
平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道,三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片,但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
NAND Flash 原理深度解析(下)
,它是能够独立执行命令和报告状态的最小单元。 一个Die/LUN有多个Plane(e.g. 4Plane),通过多Plane并发操作提升NAND Flash读写性能。 一个Plane有几
NAND Flash 原理深度解析(上)
,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用。本文则将为大家介绍Nand Flash的工作原理和自身的特性。 一、NAND Flash Wafer、PKG及SSD Nand
SK海力士发布全球首款321层NAND!
SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存,成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品,并介绍了开发进展情况
层峰观点-关注四大趋势将物联网提升至新的水平
Silicon Labs (亦称 “ 芯科科技 ” )首席技术官 Daniel Cooley 先生近期制作一篇趋势应用文章,分享他对于未来物联网行业和技术发展的前瞻观点。他表示,我们不能满足于物联网
基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25%
基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案,采用了232层3D TLC NAND闪存;速度提升很大
发表于 07-19 19:02
•890次阅读
评论