美国政府已为韩国SKSiltron公司及其在美工厂SK Siltron CSS提供 5.44 亿美元贷款,助力其扩大 SiC 晶片生产规模。
美国能源部贷款项目办公室 (LPO) 表示,此举旨在满足日益增长的电动汽车及储能系统用 SiC 晶片市场需求。据了解,SK Siltron CSS 是此类产品的主要供应商之一。
附加信息显示,此项申请贷款计划还将助 SK Siltron CSS新增约200个就业机会,其中大部分属于技术人员。SK Siltron CSS计划通过这项贷款项目进一步提升产能,以解决目前供应短缺问题。此外,援助项目亦有望加强贝城工厂的主导地位,使其成为全球前五大 SiC 晶圆制造商之一。
美国能源部方面表示,此项目将强化美国制造能力,支持拜登政府关于强化半导体供应链战略。同时,这也被解读为美国在清洁能源技术领域的产业竞争力的提升,以及对其在全球领先地位的扩大贡献。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
电动汽车
+关注
关注
156文章
12685浏览量
237272 -
SiC
+关注
关注
32文章
3858浏览量
70115 -
储能系统
+关注
关注
6文章
1242浏览量
26619
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
技术突围与市场破局:碳化硅焚烧炉内胆的氮化硅陶瓷升级路径
废物、高热值工业危废焚烧领域,工况温度常需维持在1200℃以上,且烟气腐蚀性强。采用高纯氮化硅结合碳化硅的复合内胆,其服役寿命较传统高铝或普通碳化硅材料提升2-3倍。基于此,核心应用场
发表于 03-20 11:23
Wolfspeed成功制造出单晶300mm碳化硅晶圆
球碳化硅技术引领者 Wolfspeed, Inc. (美国纽约证券交易所上市代码: WOLF) 今日宣布了一项重大行业里程碑:成功制造出单晶 300 mm(12英寸)碳化硅晶圆。凭借着
破局300mm!Wolfspeed碳化硅晶圆取得关键突破
,更将为AI基础设施、新能源汽车、AR/VR等高端应用领域解锁新的性能极限与制造规模。 “成功生产12英寸单晶碳化硅衬底是一项意义重大的技术成就,是Wolfspeed多年来在晶锭生
探索碳化硅如何改变能源系统
作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成为各行各业提高效率和推动脱碳的基石。碳化硅是高级电力系统的推动剂,可满足全球对可再生能源、电动汽车 (EV
重大突破!12 英寸碳化硅晶圆剥离成功,打破国外垄断!
了国内相关技术应用的空白,更为第三代半导体关键制造装备的国产化进程注入了强大动力,同时也为全球碳化硅产业突破成本瓶颈、提升生产效率开辟了创新路径。 此前,该激光剥离技术已在6英寸、8英寸碳化硅
碳化硅器件的应用优势
碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了传统材料下器件的参数瓶颈,直接促进了新
探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧
。
引言
在碳化硅半导体制造领域,精确测量衬底的晶圆总厚度变化(TTV)是保障芯片性能与良率的关键环节。探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪凭借其
【新启航】探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的操作规范与技巧
指导。
引言
在碳化硅半导体制造领域,精确测量衬底的晶圆总厚度变化(TTV)是保障芯片性能与良率的关键环节。探针式碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪凭借
【新启航】碳化硅衬底 TTV 厚度测量中表面粗糙度对结果的影响研究
理论依据。
引言
在第三代半导体产业中,碳化硅衬底的质量对芯片性能和良率起着决定性作用,晶圆总厚度变化(TTV)作为衡量碳化硅衬底质量的关键指标,其
【新启航】国产 VS 进口碳化硅衬底 TTV 厚度测量仪的性价比分析
第三代半导体产业蓬勃发展的背景下,碳化硅衬底的质量把控至关重要,晶圆总厚度变化(TTV)作为衡量碳化硅衬底质量的关键指标,其精确测量依赖专业
【新启航】如何解决碳化硅衬底 TTV 厚度测量中的各向异性干扰问题
精确的测量技术支持。
引言
碳化硅(SiC)作为第三代半导体材料,凭借其优异的物理化学性能,在高功率、高频电子器件领域展现出巨大的应用潜力。晶圆总厚度变化(TTV
EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE
EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科锐)生产的1200V、450A全碳化硅半桥功率模块,致力于高功率、高效化技术应用打造
发表于 06-25 09:13
碳化硅功率器件在能源转换中的应用
随着全球对可持续能源的需求不断增加,能源转换技术的提升已成为实现低碳经济的重要一环。碳化硅(SiC)功率器件因其在高温、高电压和高频率下优越的性能,正逐渐成为现代电力电子设备的选择,特别是在能
美能源部援SK Siltron贷款,助其扩大碳化硅晶圆生产
评论