佳能推出5nm芯片制造设备，纳米压印技术重塑半导体竞争格局

佳能去年10月发布了采用纳米压印技术的FPA-1200NZ2C，该设备工作原理区别于传统光刻机，无须依赖光学图像投影实现芯片微观结构转移，而更接近印刷工艺，通过压制印出图案，能制造出5nm芯片。

佳能近日表示，计划年内或明年上市使用纳米压印技术的光刻设备FPA-1200NZ2C。对比已商业化的EUV光刻技术，虽然纳米压印的制造速度较传统方式缓慢，但由于制程简化，耗电仅为EUV的十分之一，且投资额也仅为EUV设备的四成。因此，佳能此举有望击败市场竞争对手，使得高端芯片生产价格更为亲民。

该项目由佳能工业部门负责人竹西宏明亲自领导。宏明明确表示：“期望今年或明年在市场热度下启动出货。这一独特技术，将助力尖端芯片生产变得更为简易和经济实惠。”他还指出，这项关键性技术成功与否的关键在于能否打动潜在客户，使他们愿意将其引入现有生产线。

据悉，初步阶段，佳能将利用该技术生产3D NAND存储器芯片，并非复杂的处理器。宏明透露，佳能在15年时间内持续研发这一领域，若能成功实现商业化应用，有望扭转竞争态势，帮助新兴企业以更低的成本打造领军半导体产品。然而，新设备的缺陷率、集成难度以及地缘政治影响等因素，仍需考量其中，才能确定佳能能否在此次重大竞争中突出重围。