安建半导体推出1200V-17mΩ SiC MOSFET

产品介绍

安建半导体推出具有完全自主知识产权的1200V-17mΩ SiC MOSFET，通过独特设计确保产品的卓越性能和可靠性，在国内领先的碳化硅晶圆代工厂流片，产能充裕，供应稳定，性价比高。

产品特点

● 开关速度快

●栅极电荷低

● 雪崩耐量高

● 短路能力强

● 可靠性高

应用领域

● 电动汽车

● 太阳能逆变器

● 储能系统

● 不间断电源

产品性能

安建半导体对此款自研SiC MOSFET产品做了动静态、短路、雪崩耐量（UIS），可靠性等测试，性能参数与国际竞品相当。雪崩耐量为国际知名品牌同规格产品的200%，在短路时间3us下可安全关断800A电流。此外，该款芯片已通过1000h可靠性考核。

静态输出特性：

开关波形：

UIS波形：

安建半导体1200V-17mΩ SiC MOSFET具备如下优异性能：

● 通过设计上的优化，确保具有稳定的击穿特性，增强UIS能力。

● 在短路时间3us下安全关断800A电流。

● 已通过国际最高标准的1000小时HTRB、HTGB、HV-H3TRB等可靠性考核。

安建半导体即将推出兼容国际一线品牌封装的SiC模块，敬请期待！

安建半导体致力于为客户提供国际一流、国内领先的功率半导体器件，如需样品，欢迎与我们联系。

审核编辑：汤梓红