台积电和ITRI成功研发SOT-MRAM，功耗仅为STT-MRAM的百分之一

据报道，台积电股份有限公司与工业技术研究院合作研发出名为“自旋轨道力矩式磁性内存” （SOT-MRAM） 的下一代 MRAM 存储器，搭载创新算法，能源消耗较同类技术 STT-MRAM 降低了约百分之九十九，这将有效提升其在AI和高性能计算（HPC）领域的竞争力。

鉴于AI、5G新时代的到来以及自动驾驶、精准医疗诊断、卫星影像辨识等应用对更高效率、稳定性和更低功耗的内存的需求愈发紧迫，如磁阻式随机存取内存（MRAM）这样的新一代内存技术已成为众多厂商争相研发的重点。

作为全球半导体巨头之一，台积电早已开始涉足MRAM产品的研究开发，现已成功开发出22纳米、16/12纳米工艺的相应产品线。如今再次推出新款超低功耗SOT-MRAM，有望继续加强其市场领袖地位。据官方宣称，新的SOT-MRAM内存功耗仅为STT-MRAM的百分之一，同时形成的科研成果也处于国际领先地位，并且在备受瞩目的国际电子元件会议（IEDM）上得到发表。

值得注意的是，STT-MRAM是一种使用自旋电流进行信息写入的新型非易失性磁随机存储器，属于第二代磁性存储器MRAM。其存储单元主要由两层不同厚度的铁磁层和一层几个纳米厚的非磁性隔离层构成。