投资金额达6000万元！又新增2个GaN射频项目

近日，国内有2个氮化镓项目公布新进展，合计投资金额达6000万元。

远创达、江南大学

新增2个GaN射频项目

近日，新增的2个GaN相关项目的实施主体分别为远创达、江南大学，合计投资金额达6000万元。

●远创达GaN射频项目

1月9日，苏州远创达科技有限公司对外公示了《年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目》的环保验收情况，公示期为2024年1月4日-2月1日。

据了解，该项目总投资3500万元，建设于苏州工业园区，项目建成后，将年产100万颗GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件。

苏州远创达科技有限公司成立于2008年8月，主要从事射频高功率LDMOS半导体技术和产品的开发和生产。“行家说三代半”了解到，苏州远创达科技的主要供应商是苏州英诺迅科技股份有限公司。

●江南大学获批GaN重点项目

近日，江苏省2023年度项目立项名单公示，其中江南大学“氮化镓微波毫米波无线能量转换芯片关键技术研发”项目获得立项，项目总预算2500万元，省财经费支持1000万元。

据介绍，该项目由江南大学物联网工程学院敖金平教授团队牵头组织，联合苏州实验室、苏州纳维科技有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、无锡华润安盛科技有限公司、南京大学、江苏能华微电子科技发展有限公司共同参与，拟在氮化镓基微波毫米波无线能量转换芯片相关方面取得突破性进展，实现关键技术从“实验室”走向“生产线”。

目前，江南大学建有宽带隙/超宽禁带半导体材料与器件实验室，拥有材料生长和器件工艺超净间，器件制备用的光刻机、等离子体刻蚀机、磁控溅射台、快速热退火系统等全套工艺设备，具有完整的材料生长、器件制备及测试评价能力。

2024年以来

还有3起GaN项目公布动态

今年1月，国内还有3起GaN项目同时迎来新动态：

● 芯睿半导体氮化镓晶圆厂项目：该项目签约落地福州新区，由福建芯睿半导体有限公司建设。目前该项目还未披露更多信息，“行家说三代半”将持续跟进该项目进展，敬请关注。

● 福州半导体氮化镓外延片项目：该项目签约落地福州新区，由福州镓谷半导体有限公司建设，主营第三代半导体的研发与生产，预计投入10亿元，用地86亩，达产后年产能24万片，产值数十亿元，上市市值可达数百亿元。

● 国微纳总部项目：该项目签约落地苏州高新区，由苏州国微纳半导体设备有限公司建设，总投资近7亿元，旨在打造第三代半导体氮化镓及碳化硅外延设备总部基地。

审核编辑：刘清