双向可控硅触发电路原理图

当触发器件所需的栅极电流高于控制电路输出电流能力时，必须放大控制电路输出电流。例如，如今许多 MCU 的输出引脚的电流能力约为 30 mA。

借助 IGT，他们可以安全地切换高达 15 至 20 mA 的双向可控硅。如果具有 35 或 50 mA IGT 的 Triac 必须由此类 MCU 控制，则以下是两种解决方案。

首先，并联使用多个 MCU 输出引脚（最好是在每个输出引脚和 Triac 栅极之间使用单独的栅极电阻，以确保每个引脚之间良好的电流重新分配）。其次，使用如下示意图所示的双极晶体管。

对于双极解决方案，唯一的方法是使用 PNP 晶体管来保持栅极电流。为了将其驱动参考设置为稳定的偏置，必须使用 PNP 晶体管，在本例中即为电源 (Vdd)。

这是正电源拓扑的另一个缺点。必须使用PNP晶体管代替NPN晶体管来放大控制电路输出电流。与 NPN 晶体管相比，PNP 晶体管的电流增益较低，但价格较高。