台积电在IEEE国际电子器件会议中的“逻辑的未来”小组公布了1.4nm先进制程的研发进度顺利。公司表示,预计将在2025年实现基于2nm制程的大规模量产。
据半导体分析机构SemiAnalysis的数据显示,台积电已将此阶段的工作节点正式命名为A14。尽管该公司未透露A14具体的量产时间表与规格参数,但参照已经制定的N2与N2P计划,可推测A14可能将于2027至2028年前引入市场。
关于台积电是否将采用类似2nm的 GAAFET 或垂直堆叠的 CEFT 工艺,这仍然是未知之数。此外,台积电是否会在2027至2028年内采用高数值孔径的EUV***也是值得关注的话题。
考虑到届时英特尔等厂商将逐步部署并完善数值孔径0.55的下一代EUV***,相对来说芯片代工厂商利用该设备的难度会有所降低。然而,使用高数值孔径EUV***会使掩模版尺寸减少一半,因而对芯片设计及制造业也带来新的挑战。
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