根据业界消息,三星推出的3纳米GAA制程技术已经有一年多的时间了,但晶圆良率仍然不理想。因此,高通决定在下一代处理器Snapdragon 8 Gen4中取消与三星的双代工策略,改由台积电独家代工。预计高通、英伟达等客户将争相采用这一制程,而台积电预计明年下半年的3纳米家族(包括N3E)月产能有望达到10万片。
三星去年6月底开始量产第一代3纳米GAA(SF3E)制程,这是三星首次采用全新的GAA架构晶体管技术。第二代3纳米制程3GAP(SF3)将采用第二代MBCFET架构,在第一代3纳米SF3E的基础上进行进一步优化,预计将于2024年开始量产。
据爆料人Revegnus透露,高通的Snapdragon 8 Gen 4处理器将采用台积电的3纳米(N3E)制程,并供应给三星的Galaxy系列智能手机使用。另外,由于台积电的3纳米产能受到限制,高通不得不转而寻找三星代工芯片。
因此,高通原本计划在2024年同时将订单交给台积电和三星,成为3GAP制程的首个客户。然而,考虑到三星明年3纳米产能计划相对保守,以及晶圆良率不稳定的情况,高通决定取消计划,并将双代工策略推迟至2025年再考虑。
目前,台积电的3纳米制程技术产能已经开始提升,预计到2024年底,月产能将达到十万片的规模,营收占比也将从目前的5%上升至10%。
由于3纳米制程需求旺盛,被视为继5纳米制程之后的新一代先进制程,台积电为了应对持续涌入的客户订单,在去年底宣布扩大3纳米制程的产能。预计新的产能将在明年开始量产,为台积电的业务增长提供动力。
审核编辑:黄飞
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