中国长鑫存儲自主研发 LPDDR5 完成

中国DRAM生产厂家长鑫存儲（CXMT）近日公布，已经完成LPDDR5 DRAM记忆体芯片的自主研发，并开始量产，这一消息在韩国业界引起不小的震动。如果这一消息属实，那么这就意味着在DRAM技术上，中国已经仅落后韩国三星四年。

长鑫存儲最近在其官网上宣布，已研发出中国首款 LPDDR5 DRAM记忆体芯片，并即将推出包括12GB LPDDR5、POP封装的12GB LPDDR5及DSC封装的6GB LPDDR5等一系列产品。该产品代表最新一代的低功耗 DRAM(Low-Power DDR5 DRAM)，相比上一代 LPDDR4X，新一代 LPDDR5 的容量和速度提高了50%，容量最高可以达到 12GB，数据传输速度达到 6,400Mbps，同时功耗降低了30%。

长鑫存儲已经制定计划，大幅提升产品的整体性能，以此快速提升在市场中的占有率。特别地，长鑫的 LPDDR5产品已在小米、传音等中国主要手机厂商机型上进行过验证，因此目前正在全力加速市场推广工作。

实际上，韩国三星已经在2019年7月率先在行业内宣布，成功量产了12GB LPDDR5 DRAM产品，之后的2020年2月，美光开始供应6GB、8GB以及12GB内存容量的LPDDR5 DRAM。SK海力士则是于2021年8月宣布开始量产18GB LPDDR5 DRAM产品。对比这些时间点，长鑫存儲与国际大厂之间的技术落差约为四年。

然而，在产品量产方面，长鑫存儲与三星等竞争对手仍存在很大的差距。市场研究公司DRAMeXchange的数据显示，全球DRAM市场在2023年第二季度增长了11.9%，达到了106.75亿美元，其中，三星、SK海力士、美光这三家厂商的市场份额已经超过了95%。因此，目前长鑫存儲的产品对市场的影响力尚属微乎其微。

长鑫存儲成立于2016年，其主营业务为DRAM的设计、研发、生产与销售，业务遍及合肥与北京的12英寸晶圆厂。然而在2022年10月，美国将长鑫存儲列入了出口管制名单，对其发展带来了一定的影响。