用价值一套房的分析仪测一毛钱的MOS管

1940年贝尔实验室在研究雷达探测整流器时，发现硅存在PN结效应，1958年美国通用电气（GE）公司研发出世界上第一个工业用普通晶闸管，标志着电力电子技术的诞生。

从此功率半导体器件的研制及应用得到了飞速发展，并快速成长为电子制造业的核心器件之一，还独立成为电子电力学科。

鉴于功率半导体器件的绿色节能功能，因此被广泛应用于几乎所有的电子制造业，包括新能源（风电、光伏、储能和电动汽车）、消费电子、智能电网、轨道交通等。其中在新能源汽车和工业领域应用较多，需求稳定性也较强。

随着智能电网、汽车电气化等应用领域的发展，功率半导体器件逐渐往高压、高频方向发展，对应的产品测试也迎来更大的挑战：

■功率半导体是多端口器件，需要多种仪表协同测试；

■功率半导体的漏电流越小越好，需要高精度的设备进行测试；

■功率半导体的电流输出能力很强，测试时需要快速注入1000A级电流，并完成压降的釆样；

■功率半导体需要耐压较高，一般从几千到一万伏不等，需要测量仪器具备高压输出和高压下nA级漏电流测试的能力；

■由于功率半导体工作在强电流下，自加热效应明显，严重时容易造成器件烧毁，需要提供μs级电流脉冲信号减少器件自加热效应；

■输入输出电容对器件的开关性能影响很大，不同电压下器件等效结电容不同，C-V测试十分有必要。

KeysightB1506A

适用于电路设计的功率器件分析仪

可以帮助设计人员最大限度地提升最终产品价值和产品开发速度，是功率电路设计的一次革命性创新。

可以表征从基础到尖端的应用：

B1506A功率器件分析仪可以提供完整的电路设计解决方案，帮助企业、高校以及研发单位功率半导体产品研发，实现对功率半导体的高效、安全的测试验证。为研发、生产、失效分析等多个场景提供测试服务：

■广泛的工作 I/V (1500 A，3000V) 、热测试范围 (-50°C至 +250°C)、快速脉冲生成能力和 nA 级以下的电流测量分辨率；

■强大的测试能力，涵盖C/V，I/V，Qg，CV ，Rg，Ron, Ciss等参数；

■示波器视图提供脉冲测量波形视觉验证。

Chrent测试小案例

B1506A一招识别真假MOS管

网上教你分辨MOS管的教程那么多，这样壕气又精确到小数点的方法，你一定没见过！

一位工程师在修大功率电源，网上买的MOS管装上去就烧了，怀疑买到了假货。

测试实验室的同事路过，说他们刚好配了一台先进的功率器件分析仪B1506A，配合不同模组，可以对MOSFET、IGBT等功率器件进行I/V测量和功率损耗的测量。

他们决定测试一下这个MOS管究竟“假”在哪里

测试步骤|STEP

第1步，将对照组MOS管插到测试夹具上，并盖好盖子

第2步，选择I/V测试

第3步，设置器件类型为MOSFET，选择ID-VGS，提前设置好集电极电压和基极电压

第4步，设置完毕后，开始测试

测试结果|RESULT

对照组MOS管测试结果：

在不同的VGS电压下，最大电流输出可达近1000A，与DATASHEET上的参数基本一致。

“假”MOS管测试结果：

在不同的VGS电压下，电流输出保持不变，最大电流输出只到50A左右。所以这个器件有问题。

这个案例充分展示了B1506A大功率半导体参数分析仪的强大功能，不仅可以帮助工程师鉴别真假MOS管，还可以为他们提供准确的器件参数，帮助他们更好地进行电源维修和研发工作。