0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

耗尽型MOSFET构成电流源给IC供电的应用电路

CHANBAEK 来源: ARK micro 作者: ARK(方舟微) 2023-11-07 14:39 次阅读

01常见的应用方式

图片

耗尽型MOSFET构成电流源IC供电的应用电路

02电路原理及注意事项

当电路工作时,电阻R两端的电压会随着流过的电流的增加而升高,但是由于耗尽型MOSFET的亚阈值特性,其最大电压值不会超过对应电流下的阈值电压,即V R_MAX =|V TH |。因此在该条件下,上述应用可以作为恒流源给IC供电。

由于MOSFET的功耗限制,该应用不适合大功率供电场景,实际应用时电流会随着MOSFET结温的变化而存在轻微波动。

DMZ1520E

DMZ1520E系列产品工业自动化汽车电子新能源等应用电路中,可用于LDO供电。如下图所示,电路中只使用了一个DMZ1520E,它可以将高输入电压转换为稳定的低电压为LDO供电,同时为LDO提供瞬态浪涌抑制。LDO的输入输出电压满足关系式: Vs=Vout +|VGS(OFF) |。该系列MOSFET响应速度快,电路结构简单。

图片

DMZ1520E系列产品不仅能提供稳定的电源,而且能在复杂的电子、磁环境中抵抗较大的瞬变电压,特别适用于智能变送器IC的应用,如AD421、SD2421A、JHM1101等,对标 BSS169、MMBF4393等。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电源
    +关注

    关注

    182

    文章

    16553

    浏览量

    244719
  • MOSFET
    +关注

    关注

    141

    文章

    6569

    浏览量

    210137
  • 应用电路
    +关注

    关注

    9

    文章

    425

    浏览量

    49298
  • ldo
    ldo
    +关注

    关注

    34

    文章

    1761

    浏览量

    152016
  • 电流源
    +关注

    关注

    3

    文章

    351

    浏览量

    28905
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    耗尽MOSFET的符号/工作原理/类型/特性/应用场景

    金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种电压控制器件,由源极、漏极、栅极和主体等端子构成,用于放大或切换电路内的电压,也广泛用于数字应用的IC。此外,也用于放大器和滤波器等模
    的头像 发表于 07-05 14:55 5208次阅读
    <b class='flag-5'>耗尽</b>型<b class='flag-5'>MOSFET</b>的符号/工作原理/类型/特性/应用场景

    耗尽MOSFET实现双向过流、过压保护的应用电路

    电路实现过流、过压保护的主要原理与 图2 电路基本一致。不过当电路触发过流、过压保护功能时,仅是电流方向为D→S的MOSFET实现保护作用
    的头像 发表于 11-07 14:42 784次阅读
    <b class='flag-5'>耗尽</b>型<b class='flag-5'>MOSFET</b>实现双向过流、过压保护的应<b class='flag-5'>用电路</b>

    Multisim10.0元件库没P沟道耗尽MOSFET管,为什么

    Multisim10.0元件库没P沟道耗尽MOSFET管,为什么,我其他几种都找到了结FET增强FET,
    发表于 11-03 10:45

    MOSFET的具体概念以及注意事项-Agitekservice

    曲线的斜率gm的大小反映了栅电压对漏极电流的控制作用。 gm的量纲为mA/V,所以gm也称为跨导。跨导。  图1. 转移特性曲线图2—54(a)为N沟道增强MOSFET的结构示意图
    发表于 08-07 14:16

    耗尽MOSFET和JFET的栅电压大于0时电流怎么变化

    电压等于0的时候,漏极电流是等于0.其中JFET中栅级与衬底之间的PN结工作在反偏,当所有的讨论都是基于级接地的电路时,当耗尽
    发表于 04-08 03:57

    N沟道耗尽MOS管饱和漏极电流测量出现的问题

    ,被测器件为N沟道耗尽MOSFET,数据手册上的测试条件为VGS=0V(短接,所以就没画,实际电路已经短接了),VDS=5V,典型值是1950mA,保护电阻为50欧姆或330欧姆,红
    发表于 06-22 20:09

    耗尽MOSFET的基本概念及主要类型

    ,这在数字逻辑电路中用作负载电阻。用于PWM IC内的反激电路。用于电信交换机、固态继电器等。用于电压扫描电路电流监控
    发表于 09-13 08:00

    P沟道MOSFET的基本概念及主要类型

    MOSFET是一种三端、电压控制、高输入阻抗和单极器件,是不同电子电路中必不可少的元件。一般来说,这些器件根据其默认状态下是否有相应的通道,分为增强MOSFET
    发表于 09-27 08:00

    N沟道和P沟道MOSFET的区别是什么

    。漏极和极是p+区域,主体或基板是n电流沿带正电孔的方向流动。当对栅极端子施加具有排斥力的负电压时,存在于氧化层下方的电子被向下推入基板中。耗尽区由与供体原子相关的结合正电荷填充
    发表于 02-02 16:26

    耗尽模式功率MOSFET的应用有哪些?

    供电,其中输入电压V在直接来自总线电压。这可能会有很大的电压变化,包括由于应用环境而导致的高压尖峰。耗尽MOSFET可用于在线性稳压器电路
    发表于 02-21 15:46

    请问N沟道、耗尽的场效应管的三个管脚怎么接?

    1.是N沟道,耗尽的场效应管,是耗尽。像图上这样的话,带?的那端应该是什么极?是极还是漏极? 2.
    发表于 05-16 14:24

    耗尽MOSFET在各类开关电源启动电路中的应用

    耗尽MOSFET在各类开关电源启动电路中的应用
    发表于 11-09 14:18

    使用电流输出的DAC搭建的电流,各自有哪些特点?

    上面是ADI给出的2种使用电流型DAC构成电流,想问下这两种电路各种特点有哪些,使用时怎么选择?
    发表于 12-04 07:43

    N沟道耗尽型功率MOSFET电路应用

    电源系统中的恒定电流源,固态继电器,电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET,当栅极至源极电压为零时,该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道
    的头像 发表于 05-27 12:18 7564次阅读
    N沟道<b class='flag-5'>耗尽</b>型功率<b class='flag-5'>MOSFET</b>的<b class='flag-5'>电路</b>应用

    耗尽MOSFET在非隔离式电源电路中的应用

      在上述电路中,无需使用其它DC-DC元件,仅使用一颗耗尽MOSFET,即可将较高的电压转换为稳定的低电压给LDO输入端供电。LDO的输入电压Vin与输出电压VOUT的关系满足:V
    的头像 发表于 11-08 11:28 321次阅读
    <b class='flag-5'>耗尽</b>型<b class='flag-5'>MOSFET</b>在非隔离式电源<b class='flag-5'>电路</b>中的应用