01常见的应用方式
02电路原理及注意事项
当电路工作时,电阻R两端的电压会随着流过的电流的增加而升高,但是由于耗尽型MOSFET的亚阈值特性,其最大电压值不会超过对应电流下的阈值电压,即V R_MAX =|V TH |。因此在该条件下,上述应用可以作为恒流源给IC供电。
由于MOSFET的功耗限制,该应用不适合大功率供电场景,实际应用时电流会随着MOSFET结温的变化而存在轻微波动。
DMZ1520E
DMZ1520E系列产品在工业自动化、汽车电子、新能源等应用电路中,可用于LDO供电。如下图所示,电路中只使用了一个DMZ1520E,它可以将高输入电压转换为稳定的低电压为LDO供电,同时为LDO提供瞬态浪涌抑制。LDO的输入输出电压满足关系式: Vs=Vout +|VGS(OFF) |。该系列MOSFET响应速度快,电路结构简单。
DMZ1520E系列产品不仅能提供稳定的电源,而且能在复杂的电子、磁环境中抵抗较大的瞬变电压,特别适用于智能变送器IC的应用,如AD421、SD2421A、JHM1101等,对标 BSS169、MMBF4393等。
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
电源
+关注
关注
182文章
16553浏览量
244719 -
MOSFET
+关注
关注
141文章
6569浏览量
210137 -
应用电路
+关注
关注
9文章
425浏览量
49298 -
ldo
+关注
关注
34文章
1761浏览量
152016 -
电流源
+关注
关注
3文章
351浏览量
28905
发布评论请先 登录
相关推荐
耗尽型MOSFET的符号/工作原理/类型/特性/应用场景
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种电压控制器件,由源极、漏极、栅极和主体等端子构成,用于放大或切换电路内的电压,也广泛用于数字应用的IC。此外,也用于放大器和滤波器等模
Multisim10.0元件库没P沟道耗尽型MOSFET管,为什么
Multisim10.0元件库没P沟道耗尽型MOSFET管,为什么,我其他几种都找到了结型FET增强型FET,
发表于 11-03 10:45
MOSFET的具体概念以及注意事项-Agitekservice
曲线的斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 gm的量纲为mA/V,所以gm也称为跨导。跨导。 图1. 转移特性曲线图2—54(a)为N沟道增强型MOSFET的结构示意图
发表于 08-07 14:16
当耗尽型MOSFET和JFET的栅源电压大于0时电流怎么变化
电压等于0的时候,漏极电流是等于0.其中JFET中栅级与衬底之间的PN结工作在反偏,当所有的讨论都是基于源级接地的电路时,当耗尽型
发表于 04-08 03:57
N沟道耗尽型MOS管饱和漏极电流测量出现的问题
,被测器件为N沟道耗尽型MOSFET,数据手册上的测试条件为VGS=0V(短接,所以就没画,实际电路已经短接了),VDS=5V,典型值是1950mA,保护电阻为50欧姆或330欧姆,红
发表于 06-22 20:09
P沟道MOSFET的基本概念及主要类型
MOSFET是一种三端、电压控制、高输入阻抗和单极器件,是不同电子电路中必不可少的元件。一般来说,这些器件根据其默认状态下是否有相应的通道,分为增强型MOSFET和
发表于 09-27 08:00
N沟道和P沟道MOSFET的区别是什么
。漏极和源极是p+区域,主体或基板是n型。电流沿带正电孔的方向流动。当对栅极端子施加具有排斥力的负电压时,存在于氧化层下方的电子被向下推入基板中。耗尽区由与供体原子相关的结合正电荷填充
发表于 02-02 16:26
耗尽模式功率MOSFET的应用有哪些?
供电,其中输入电压V在直接来自总线电压。这可能会有很大的电压变化,包括由于应用环境而导致的高压尖峰。耗尽型MOSFET可用于在线性稳压器电路
发表于 02-21 15:46
N沟道耗尽型功率MOSFET的电路应用
电源系统中的恒定电流源,固态继电器,电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET,当栅极至源极电压为零时,该MOSFET用作常开的开关。本文将介绍IXYS最新的N沟道
耗尽型MOSFET在非隔离式电源电路中的应用
在上述电路中,无需使用其它DC-DC元件,仅使用一颗耗尽型MOSFET,即可将较高的电压转换为稳定的低电压给LDO输入端供电。LDO的输入电压Vin与输出电压VOUT的关系满足:V
评论