晶圆测温系统 发展历史

晶圆测温系统的原理主要是通过测量晶圆表面与环境之间的温差来实现的。晶圆表面的热量传递受到多种因素的影响，如热传导、热辐射、对流等。为了实现精确的温度监测，晶圆测温系统需要综合考虑这些因素，采用合适的测温方法和设备。

以热电偶法为例，它是通过将传感器或探头直接接触晶圆表面来实现温度测量的。当探针与晶片接触时，热电偶会产生一个电压信号，该信号被控制器接收并转换成数字信号，再被发送到显示屏上进行显示。

晶圆的发展历史可以追溯到20世纪50年代，下面是它的具体发展历程：

20世纪50年代：锗是最早的半导体材料，被用于分立器件中，而第一块集成电路是在1958年7月由杰克·基尔比在德州仪器公司使用锗半导体材料作为衬底制造的。

60年代后期：由于锗器件的耐高温和抗辐射性能存在短板，逐渐被硅器件所取代。硅储量丰富，提纯和结晶工艺成熟，且二氧化硅薄膜绝缘性能好，使得器件的稳定性和可靠性得到了很大提高，因此硅成为了应用最广泛的半导体材料。

21世纪：虽然硅在半导体材料中占据主导地位，但是它的物理性质限制了其在光电子和高频、高功率器件上的应用。因此，以砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。它们适用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。

至今，晶圆已经发展成为制造半导体器件的基础性原材料，经历了60多年的技术演进和产业发展，形成了以硅为主、多种新型半导体材料为补充的产业局面。
我们的TC-Wafer是将高精度温度传感器镶嵌在晶圆表面，对晶圆表面的温度进行实时测量。通过晶圆的测温点了解特定位置晶圆的真实温度，以及晶圆整体的温度分布，同还可以监控半导体设备控温过程中晶圆发生的温度变化，获得升温、降温以及恒温过程期间的温度温度数据，从而了解半导体设备的温度均匀度。

应用：

半导体制造：在半导体制造过程中，晶圆是关键的元件，测温系统用于准确地测量晶圆表面的温度，以确保生产质量。

高精度传感器：晶圆测温系统采用了高精度传感器，如热电偶等，将温度转化为电信号，再通过数据采集和处理系统进行实时监测和分析。

无线通信技术：无线通信技术被用于传输测温数据，将晶圆表面温度信息实时传输到数据收集器、监控站或其他设备中，方便工作人员进行实时监测和分析。

总的来说，晶圆测温系统是半导体制造过程中不可或缺的一部分，对于半导体制造的精密性和生产质量都有重要影响。

审核编辑 黄宇