0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

罗姆新增SiC和IGBT模型,可提供超3,500种LTspice®模型

皇华ameya 来源:年轻是一场旅行 作者:年轻是一场旅行 2023-10-17 11:24 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

据AMEYA360介绍:全球知名半导体制造罗姆(总部位于日本京都)扩大了支持电路仿真工具* 1 LTspice® 的SPICE模型* 2 阵容。LTspice®具有电路图捕获和波形查看器功能,可以提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管二极管MOSFET*3的LTspice模型,此次又新增了SiC功率元器件和 IGBT*4等的LTspice模型。至此,罗姆已经提供超过3,500 种分立产品的LTspice®模型,这些模型从各产品页面均可下载。目前,罗姆官网上发布的产品所对应的LTspice®模型覆盖率已超过80%,有助于客户利用嵌入了功率元器件等分立产品的电路仿真工具来提高设计便利性。

另外,除了产品页面外,罗姆官网自2023年10月起还开设了可以浏览所有仿真模型的“设计模型”页面,在这里可以轻松下载各种模型。此外,还一并提供添加库和创建符号(电路图符号)的指南文档等,有助于客户顺利创建电路和执行仿真。

未来,罗姆将继续扩大支持各种仿真工具的模型阵容,通过提供满足客户需求的在线工具和资源(例如已经发布的“ROHM Solution Simulator* 5”),助力解决客户在电路设计过程中的问题。

<背景>

近年来,在电路设计中使用电路仿真的机会越来越多,可用的工具也多种多样。其中,LTspice®是具有代表性的电路仿真工具之一,其用户包括从学生到企业工程师的广大群体。为了满足众多用户的需求,罗姆进一步扩充了支持LTspice®的分立产品模型阵容。 文章来源:http://www.ameya360.com/hangye/110326.html,如有侵权请联系删除!

<仿真模型一览页面>

・设计模型除了LTspice®模型外,罗姆还发布了支持不同使用工具环境的各种仿真模型。

<支持文档>

・LTspice®模型的使用方法

・LTspice®模型的使用方法:收敛速度改善技巧

・LTspice®是 Analog Devices, Inc.的注册商标。使用其他公司的商标时,请遵循权利方制定的使用规定。

<术语解说>

*1) 电路仿真工具

一种无需实际准备电子元器件而仅使用软件进行电子电路设计和验证的工具。

*2) SPICE模型

在电子电路仿真工具中使用的、用数学公式来表现元器件工作特性的数据。仿真工具对应的SPICE模型的格式可能因文本文件的格式而异。

*3) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是FET中最常用的结构。

*4) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管

)同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管。

*5) ROHM Solution Simulator

在罗姆上运行的免费电路仿真工具。从元器件选型和元器件单品验证到系统级的运行验证,均可通过该仿真工具来实现。

审核编辑:汤梓红


声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • IGBT
    +关注

    关注

    1286

    文章

    4259

    浏览量

    260395
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3502

    浏览量

    68058
  • 罗姆半导体
    +关注

    关注

    0

    文章

    62

    浏览量

    15015
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    成为西门子Flotherm™标配!扩大分流电阻器的高精度EROM阵容

    发布。另外,该模型将作为西门子电子设备专用热设计辅助工具“Simcenter™ Flotherm™ *2”的标配被采用※。 的分流电阻器已被广泛应用于车载和工业设备等众多应用领域,凭借其高精度的电流检测性能与 高可靠性,已获
    的头像 发表于 11-19 14:14 187次阅读

    互通有无扩展生态,英飞凌与达成碳化硅功率器件封装合作

    9 月 28 日消息,两家重要功率半导体企业德国英飞凌 Infineon 和日本 ROHM 本月 25 宣布双方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封装合作机制签署了备忘录。 根据这份协议,双方
    的头像 发表于 09-29 18:24 1583次阅读
    互通有无扩展生态,英飞凌与<b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>达成碳化硅功率器件封装合作

    亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化镓及硅基器件引领功率半导体创新

    2025 年 9 月 24 日,在 PCIM Asia Shanghai 展会现场,(ROHM)携多款功率半导体新品及解决方案精彩亮相。展会上重点展示了EcoSiC™碳化硅(
    的头像 发表于 09-29 14:35 1.2w次阅读
    <b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>亮相 2025 PCIM  碳化硅氮化镓及硅基器件引领功率半导体创新

    与英飞凌携手推进SiC功率器件封装兼容性,为客户带来更高灵活度

    全球知名半导体制造商(总部位于日本京都市)宣布,与英飞凌科技股份公司(总部位于德国诺伊比贝格,以下简称“英飞凌”)就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能
    的头像 发表于 09-29 10:46 227次阅读

    邀您相约PCIM Asia Shanghai 2025

    设备和汽车领域中卓越的SiC和GaN产品和技术。同时,还将在现场举办技术研讨会,分享其最新的电力电子解决方案。
    的头像 发表于 09-10 14:34 709次阅读

    AMEYA360:ROHM新SPICE模型助力优化功率半导体性能

    设计阶段的仿真验证中,模型的精度至关重要。ROHM以往提供SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”,通过提高每种特性的复现性,满足了高精度仿真的需求。
    的头像 发表于 07-04 15:10 446次阅读
    AMEYA360:<b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>ROHM新SPICE<b class='flag-5'>模型</b>助力优化功率半导体性能

    为英伟达800V HVDC架构提供高性能电源解决方案

    标志着数据中心设计的关键转变,使兆瓦级人工智能工厂变得更加高效、可扩展和可持续。 不仅提供硅(Si)功率元器件,还拥有包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体在内的丰富
    的头像 发表于 06-25 19:45 1067次阅读

    新SPICE模型助力优化功率半导体性能

    SiC(碳化硅)等功率半导体的电气仿真中,以往的行为模型存在收敛性差、仿真速度慢的问题。但是,这次开发并发布了提高仿真速度的新模型
    的头像 发表于 06-23 14:25 1057次阅读
    <b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>新SPICE<b class='flag-5'>模型</b>助力优化功率半导体性能

    FA模型访问Stage模型DataShareExtensionAbility说明

    DataAbilityHelper提供对外接口,服务端是由DataAbility提供数据库的读写服务。 Stage模型中,客户端是由DataShareHelper提供对外接口,服务端是
    发表于 06-04 07:53

    IGBT模块吸收回路分析模型

    尽管开关器件内部工作机理不同,但对于吸收电路的分析而言,则只需考虑器件的外特性,IGBT关断时模型可以等效为电压控制的电流源,开通时可以等效为电压控制的电压源。下面以下图所示的斩波器为例提出一般
    的头像 发表于 05-21 09:45 944次阅读
    <b class='flag-5'>IGBT</b>模块吸收回路分析<b class='flag-5'>模型</b>

    KaihongOS操作系统FA模型与Stage模型介绍

    FA模型与Stage模型介绍 KaihongOS操作系统中,FA模型(Feature Ability)和Stage模型是两不同的应用
    发表于 04-24 07:27

    ROHM()传感器_MEMS选型指南

    ROHM()传感器_MEMS选型指南
    发表于 04-01 15:58 3次下载

    GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例

    GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例总结 本文档基于GaN HEMT的实测特性描述了当前版本的模型。该模型专为与PSpice和LTspice配合使用而开发。本文档首先介绍该
    的头像 发表于 03-11 17:43 1931次阅读
    GaN HEMT的SPICE<b class='flag-5'>模型</b>使用指南及示例

    Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南

    电子发烧友网站提供《Nexperia SiC MOSFET LTspice模型使用指南.pdf》资料免费下载
    发表于 02-13 17:21 2次下载
    Nexperia <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET <b class='flag-5'>LTspice</b><b class='flag-5'>模型</b>使用指南

    AI模型部署边缘设备的奇妙之旅:目标检测模型

    的是百度的Picodet模型,它是一基于深度卷积网络(DNN)的轻量级目标检测模型,具有非常高的检测精度,可以在低算力设备进行实时的端到端推理检测。 2.1 Picodet模型介绍
    发表于 12-19 14:33