0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

罗姆新增SiC和IGBT模型,可提供超3,500种LTspice®模型

皇华ameya 来源:年轻是一场旅行 作者:年轻是一场旅行 2023-10-17 11:24 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

据AMEYA360介绍:全球知名半导体制造罗姆(总部位于日本京都)扩大了支持电路仿真工具* 1 LTspice® 的SPICE模型* 2 阵容。LTspice®具有电路图捕获和波形查看器功能,可以提前确认和验证电路是否按设计预期工作。此前罗姆已经陆续提供了双极晶体管二极管MOSFET*3的LTspice模型,此次又新增了SiC功率元器件和 IGBT*4等的LTspice模型。至此,罗姆已经提供超过3,500 种分立产品的LTspice®模型,这些模型从各产品页面均可下载。目前,罗姆官网上发布的产品所对应的LTspice®模型覆盖率已超过80%,有助于客户利用嵌入了功率元器件等分立产品的电路仿真工具来提高设计便利性。

另外,除了产品页面外,罗姆官网自2023年10月起还开设了可以浏览所有仿真模型的“设计模型”页面,在这里可以轻松下载各种模型。此外,还一并提供添加库和创建符号(电路图符号)的指南文档等,有助于客户顺利创建电路和执行仿真。

未来,罗姆将继续扩大支持各种仿真工具的模型阵容,通过提供满足客户需求的在线工具和资源(例如已经发布的“ROHM Solution Simulator* 5”),助力解决客户在电路设计过程中的问题。

<背景>

近年来,在电路设计中使用电路仿真的机会越来越多,可用的工具也多种多样。其中,LTspice®是具有代表性的电路仿真工具之一,其用户包括从学生到企业工程师的广大群体。为了满足众多用户的需求,罗姆进一步扩充了支持LTspice®的分立产品模型阵容。 文章来源:http://www.ameya360.com/hangye/110326.html,如有侵权请联系删除!

<仿真模型一览页面>

・设计模型除了LTspice®模型外,罗姆还发布了支持不同使用工具环境的各种仿真模型。

<支持文档>

・LTspice®模型的使用方法

・LTspice®模型的使用方法:收敛速度改善技巧

・LTspice®是 Analog Devices, Inc.的注册商标。使用其他公司的商标时,请遵循权利方制定的使用规定。

<术语解说>

*1) 电路仿真工具

一种无需实际准备电子元器件而仅使用软件进行电子电路设计和验证的工具。

*2) SPICE模型

在电子电路仿真工具中使用的、用数学公式来表现元器件工作特性的数据。仿真工具对应的SPICE模型的格式可能因文本文件的格式而异。

*3) MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)

金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是FET中最常用的结构。

*4) IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极晶体管

)同时具有MOSFET的高速开关特性和双极晶体管的低导通损耗特性的功率晶体管。

*5) ROHM Solution Simulator

在罗姆上运行的免费电路仿真工具。从元器件选型和元器件单品验证到系统级的运行验证,均可通过该仿真工具来实现。

审核编辑:汤梓红


声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • IGBT
    +关注

    关注

    1293

    文章

    4470

    浏览量

    265469
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3937

    浏览量

    70432
  • 罗姆半导体
    +关注

    关注

    0

    文章

    73

    浏览量

    15101
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    750V SiC MOSFET落地AI服务器BBU

    全球知名半导体制造商(ROHM)近日宣布,其750V耐压SiC MOSFET已成功应用于面向AI服务器电源的电池备份单元(BBU,Battery Backup Unit)中。这一消息不仅标志着
    的头像 发表于 05-27 09:10 536次阅读

    SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

    ROHM(半导体)宣布,其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及,AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构
    的头像 发表于 05-23 20:30 163次阅读
    <b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>的<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

    LTspice 24.1.5 运行错误如何解决

    Category: Software 我在www.diodes.com上面下载了LT8860和LT8841的ltspice模型。https://www.diodes.com/assets
    发表于 05-21 07:21

    将英飞凌的 MOSFET AIMBG120R040M1带有温度参数的 SPICE 模型导入 LTspice 时遇到的问题和错误求解

    MOSFET AIMG120R040M1 导入 LTSPICE的,发现其 L3 模型中有 6 个引脚,除了栅极、源极、漏极和开尔文源极外,还有结温 Tj 和封装温度 Tcase。请问如何正确导入此
    发表于 05-20 07:43

    半导体财报净利暴跌216%!有何指向

    5月12日,日本功率半导体巨头半导体公布了2025年(2025.4.1—2026.3.31)财报业绩。 图/源自半导体2026年3
    的头像 发表于 05-18 13:54 153次阅读
    <b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>半导体财报净利暴跌216%!有何指向

    2025产品荣获多项行业大奖

    在盖世汽车主办的“金辑奖”颁奖典礼上,的4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”荣获“2025中国汽车新供应链百强”,此次是
    的头像 发表于 01-29 15:25 742次阅读

    亚马逊云科技扩展模型选择 Amazon Bedrock新增18款开放权重模型

    亚马逊云科技在2025 re:Invent全球大会上宣布在Amazon Bedrock中新增18款开放权重模型,进一步强化其提供广泛全托管模型选择的承诺。Amazon Bedrock使
    的头像 发表于 12-13 13:53 965次阅读

    成为西门子Flotherm™标配!扩大分流电阻器的高精度EROM阵容

    发布。另外,该模型将作为西门子电子设备专用热设计辅助工具“Simcenter™ Flotherm™ *2”的标配被采用※。 的分流电阻器已被广泛应用于车载和工业设备等众多应用领域,凭借其高精度的电流检测性能与 高可靠性,已获
    的头像 发表于 11-19 14:14 640次阅读

    互通有无扩展生态,英飞凌与达成碳化硅功率器件封装合作

    9 月 28 日消息,两家重要功率半导体企业德国英飞凌 Infineon 和日本 ROHM 本月 25 宣布双方就建立碳化硅 (SiC) 功率器件封装合作机制签署了备忘录。 根据这份协议,双方
    的头像 发表于 09-29 18:24 2206次阅读
    互通有无扩展生态,英飞凌与<b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>达成碳化硅功率器件封装合作

    亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化镓及硅基器件引领功率半导体创新

    2025 年 9 月 24 日,在 PCIM Asia Shanghai 展会现场,(ROHM)携多款功率半导体新品及解决方案精彩亮相。展会上重点展示了EcoSiC™碳化硅(
    的头像 发表于 09-29 14:35 1.4w次阅读
    <b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>亮相 2025 PCIM  碳化硅氮化镓及硅基器件引领功率半导体创新

    与英飞凌携手推进SiC功率器件封装兼容性,为客户带来更高灵活度

    全球知名半导体制造商(总部位于日本京都市)宣布,与英飞凌科技股份公司(总部位于德国诺伊比贝格,以下简称“英飞凌”)就建立SiC功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能
    的头像 发表于 09-29 10:46 647次阅读

    邀您相约PCIM Asia Shanghai 2025

    设备和汽车领域中卓越的SiC和GaN产品和技术。同时,还将在现场举办技术研讨会,分享其最新的电力电子解决方案。
    的头像 发表于 09-10 14:34 1396次阅读

    AMEYA360:ROHM新SPICE模型助力优化功率半导体性能

    设计阶段的仿真验证中,模型的精度至关重要。ROHM以往提供SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”,通过提高每种特性的复现性,满足了高精度仿真的需求。
    的头像 发表于 07-04 15:10 810次阅读
    AMEYA360:<b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>ROHM新SPICE<b class='flag-5'>模型</b>助力优化功率半导体性能

    新SPICE模型助力优化功率半导体性能

    SiC(碳化硅)等功率半导体的电气仿真中,以往的行为模型存在收敛性差、仿真速度慢的问题。但是,这次开发并发布了提高仿真速度的新模型
    的头像 发表于 06-23 14:25 1581次阅读
    <b class='flag-5'>罗</b><b class='flag-5'>姆</b>新SPICE<b class='flag-5'>模型</b>助力优化功率半导体性能

    FA模型访问Stage模型DataShareExtensionAbility说明

    DataAbilityHelper提供对外接口,服务端是由DataAbility提供数据库的读写服务。 Stage模型中,客户端是由DataShareHelper提供对外接口,服务端是
    发表于 06-04 07:53