安建采用7层光罩工艺的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圆

背景介绍

依托于***的光罩(Litho)工艺是半导体芯片加工流程中的核心工艺，光罩的层数是影响半导体芯片工艺复杂度及加工成本的关键指标。当代沟槽-场截止型IGBT一般采用9-10层光罩进行加工。安建早于2019年即在国内顶尖8-inch晶圆厂成功开发并量产了仅采用7层光罩工艺的第七代沟槽-场截止IGBT技术，是国内第一家量产第七代IGBT的国产厂家，并完全拥有相关自主知识产权。

技术突破

近期，安建将自有专利的第7层光罩工艺流程成功转移至国内顶级12-inch IGBT加工平台，也是国内首家推出基于7层光罩工艺的12-inch第七代IGBT的国产厂家。此项技术突破表征了安建在国内IGBT芯片及加工工艺设计方面的双重技术领先优势。

产品特点

下图为安建采用7层光罩工艺的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圆。

光罩层数的减少并未对器件性能、坚固性及可靠性造成任何影响。下图为采用上述晶圆封装的第七代1200V-25A PIM模块，型号为JG1A25P120DG2(pin-to-pin兼容国外进口的第七代EasyPIM-1B模块)。相应的模块产品已通过工业变频及伺服驱动等客户测试认证。

相应模块在某知名客户4kW高频电机变频器(载频16kHz)完全通过各类极限工况测试，测试结果如下：

驱动波形：

相间短路波形：

1s急减速测试波形：

审核编辑：汤梓红