安建采用7层光罩工艺的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圆
背景介绍
依托于***的光罩(Litho)工艺是半导体芯片加工流程中的核心工艺，光罩的层数是影响半导体芯片工艺复杂度及加工成本的关键指标。当代沟槽-场截止型IGBT一般采用9-10层光罩进行加工。安建早于2019年即在国内顶尖8-inch晶圆厂成功开发并量产了仅采用7层光罩工艺的第七代沟槽-场截止IGBT技术，是国内第一家量产第七代IGBT的国产厂家，并完全拥有相关自主知识产权。
技术突破
近期，安建将自有专利的第7层光罩工艺流程成功转移至国内顶级12-inch IGBT加工平台，也是国内首家推出基于7层光罩工艺的12-inch第七代IGBT的国产厂家。此项技术突破表征了安建在国内IGBT芯片及加工工艺设计方面的双重技术领先优势。
产品特点
下图为安建采用7层光罩工艺的第七代12-inch 1200V-25A IGBT晶圆。
光罩层数的减少并未对器件性能、坚固性及可靠性造成任何影响。下图为采用上述晶圆封装的第七代1200V-25A PIM模块，型号为JG1A25P120DG2(pin-to-pin兼容国外进口的第七代EasyPIM-1B模块)。相应的模块产品已通过工业变频及伺服驱动等客户测试认证。
相应模块在某知名客户4kW高频电机变频器(载频16kHz)完全通过各类极限工况测试，测试结果如下：
驱动波形：
相间短路波形：
1s急减速测试波形：
审核编辑：汤梓红
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原文标题：安建首发-七层光罩12英寸第七代IGBT
文章出处：【微信号：gh_73c5d0a32d64，微信公众号：JSAB安建科技】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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