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基于中文官网上丰富的技术文章、参考设计、产品应用指南等干货，我们即将重磅推出《光储充-能源基础设施设计参考册》电子书，下载还有京东E卡好礼相送，敬请期待~

#精彩摘抄Part1#

光储结合如何打造全场景解决方案？

光储充一体化就是光伏、储能、充电一站式应用，其明显优势在于利用光伏发电和峰谷灵活、柔性充放电，可以为电网运行提供调峰、需求响应等多种服务，有效实现电网削峰填谷，缓解高峰供电对电网的冲击，同时降低用电成本。能源系统的这一转变要求更高效、可靠和安全的解决方案，安森美提供广泛的高功率硅基和碳化硅分立器件，以及升压和逆变器功率集成模块（PIM），适用于各种功率水平的住宅、商业和公用事业太阳能系统。

针对不同的终端应用(住宅、商业、公用事业)，有多种类型的太阳能逆变器(集中式、组串式、微型)。组串式逆变器以其灵活、易于维护的特点，正在成为主流太阳能逆变器类型。组串式光伏逆变器的单机故障对总发电量影响有限，其余逆变器可继续照常工作。同时，更小的尺寸更易于安装，无需重型机械即可完成安装。随着功率器件的不断迭代，单组逆变器的功率水平/功率密度不断提升，单价和体积越来越小，这推动组串式逆变器成为商用逆变器市场的主流选择。

组串式太阳能逆变器典型框图

#精彩摘抄Part2#

功率器件核心知多少？

功率器件是光储充系统的核心器件，通过功率半导体开关器件的开通和关断，把直流电转换成交流电，最终实现并网。因此，光储充一体化中涉及功率转换的设备，转换效率的可减小整个光储充系统的损耗，功率密度的提升可有效减少设备的体积，降低系统的成本。

在功率器件中，IGBT模块备受各行业青睐，它是由4个交替层(P-N-P-N)组成的功率半导体晶体管，通过施加于金属氧化物半导体(MOS)栅极的电压进行控制。虽然第三代宽禁带技术碳化硅正获得越来越多的关注，但许多应用仍适合继续使用IGBT，在技术的不断发展和升级下，IGBT可实现更低的开关损耗和更高的功率密度。截止目前，安森美已推出了多款超高能效明星IGBT，具备业界领先的性能水平，能最大程度降低导通损耗和开关损耗，助力客户的系统设计，例如第7代1200V IGBT FGY75T120SWD等。

使用硅MOSFET可以实现高频（数百千赫兹）开关，但它们不能用于非常高的电压（>1 000 V），而IGBT 虽然可以在高压下使用，但其“拖尾电流”和缓慢的关断使其仅限于低频开关应用。SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。安森美的 EliteSiC 技术专注于电动汽车与能源基础设施这两大关键应用领域，最新发布的下一代1200V EliteSiC M3S器件有助于提高开关速度的EliteSiC MOSFET和模块，以适配越来越多的800V电动汽车车载充电器和电动汽车直流快充、太阳能方案以及能源储存等能源基础设施应用。

#精彩摘抄Part3#

构建高质量电动汽车快速充电

充电桩是用来给电动汽车补能的设备装置，是新能源汽车发展路径上必备的配套基础设施，但充电桩的建设和发展，其实对电网是有冲击的。例如对配电网负荷曲线的影响、对系统电压偏差的影响、对系统网损增加的影响、对系统三相平衡的影响、对变电站供电范围和短路容量的影响等。

根据电压输入和功率水平，电动汽车充电器主要分为三级：一级一般是采用家电插座输出的120V单相交流电作为输入，最大额定电流为15至20A，充电速度非常慢；二级采用交流220V进行充电，通常部署在家庭、工作场所或公共场所，能够为汽车增加12至80英里/小时的里程，具体取决于功率输出水平。三级充电器可提供高达7.7至11kW的充电功率，使得普通电动汽车可在大约2-8 小时内充满电。