联发科3nm工艺旗舰芯片已成功流片：功耗降32%

2023年9月7日 – MediaTek 与台积公司今日共同宣布，MediaTek 首款采用台积公司 3 纳米制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利，日前已成功流片，预计将在明年量产。MediaTek 与台积公司长期保持着紧密且深度的战略合作关系，双方充分发挥各自在芯片设计和制造方面的独特优势，共同打造拥有高性能、低功耗特性的高能效旗舰芯片，赋能全球终端设备。

MediaTek 总经理陈冠州表示：“MediaTek 在拓展全球旗舰市场的策略上，致力于采用全球最先进的技术为用户打造尖端科技产品，提升及丰富大众生活。台积电稳定且高品质的制造能力，让 MediaTek 在旗舰芯片上的优异设计得以充分展现，以高性能、高能效且品质稳定的最佳芯片方案提供给全球客户，为旗舰市场带来前所未有的用户体验。”

台积公司欧亚业务及技术研究资深副总经理侯永清博士表示：“多年来，台积公司与 MediaTek 紧密合作，为市场带来了许多重大的创新，我们也很荣幸能继续在 3 纳米及更先进的技术上携手合作。台积公司与 MediaTek 在天玑旗舰芯片上的合作，将半导体产业最顶尖的制程科技带入智能手机等移动终端，让全球用户享受无与伦比的使用体验。”

台积公司的 3 纳米制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持，还拥有更强化的性能、功耗以及良率。相较于 5 纳米制程，台积公司 3 纳米制程技术的逻辑密度增加约 60 %，在相同功耗下速度提升 18 %，或者在相同速度下功耗降低 32%。

MediaTek 一直基于业界领先的制程工艺打造 Dimensity 天玑旗舰芯片，满足用户在移动计算、高速连接、人工智能、多媒体娱乐等领域不断升级的体验需求，赋能智能手机、平板电脑、智能汽车等各类设备。MediaTek 首款采用台积公司 3 纳米制程的天玑旗舰芯片将于 2024 年下半年上市，为新世代终端设备注入强大实力，引领用户体验迈向新篇章。

在今年7月的季度财务会议上，台积电CEO魏哲家透露，去年底开始量产的N3 3nm工艺，已完全通过验证，性能、良品率都达到了预期目标。

台积电3nm工艺第一代为N3B，技术上很先进很复杂，应用多达25个EUV光刻层，还有双重曝光，从而达到更高的晶体管密度，这也致使价格更贵。

第二代则是N3E，EUV光刻层减少到19个，去掉双重曝光，会便宜不少，更适合主流产品。

目前业界各大芯片厂商都在攻关 3nm 制程，包括苹果 iPhone 有望率先拿下台积电 3nm 产能，我们可以期待在今年最新的 A17 芯片中见到。此外，高通的 3nm 芯片目前还没有准确消息，预计会和联发科再次展开竞争。