双束聚焦离子束FIBSEM在微电子技术中的应用

近期不少客户朋友咨询博仕检测工程师，关于芯片横截面采用FIB切片分析的制样品的问题，这篇文章分享给大家，希望能帮到大家。

聚焦离子束技术（FIB）原理：

聚焦离子束(FIB)系统利用镓离子源和双透镜聚焦柱，用强烈的聚焦离子束轰击标本表面，以进行精密材料去除、沉积和高分辨率成像。简单来说是聚合了FIB处理样品和SEM观察成相的功能。其中FIB是将Ga元素离子化成Ga+，然后利用电场加速，再利用静电透镜聚焦将高能量的Ga+打到指定点从而达到处理样品的功能。

（PS大多数商用FIB都用Ga源，也有部分具有He和Ne等离子源）

聚焦离子束FIB切片截面分析过程：

FIB技术可以精确地在器件的特定微区进行截面观测，形成高分辨的清晰图像，并且对所加工的材料没有限制，同时可以边刻蚀边利用SEM实时观察样品，截面分析是FIB最常见的应用。这种刻蚀断面定位精度极高，在整个制样过程中样品所受应力很小，制作的断面因此也具有很好的完整性。这种应用在微电子领域具体运用场合主要有：定点观测芯片的内部结构；失效样品分析烧毁的具体位置并定位至外延层；分析光发射定位热点的截面结构缺陷。

聚焦离子束-扫描电子显微镜双束系统 FIB-SEM应用

聚焦离子束-扫描电镜双束系统主要用于表面二次电子形貌观察、能谱面扫描、样品截面观察、微小样品标记以及TEM超薄片样品的制备。

FIB-SEM测试：

线路板PCB电路断裂位置，利用SEM观察铜箔金相。

FIB切割PCB电路截面分析

FIB切割PCB电路截面分析

微米级芯片样品缺陷FIB-SEM截面测试

半导体芯片横截面分析 -FIB-SEM EDS 测试

审核编辑 黄宇