纳微半导体将展示下一代功率半导体的重大突破

下一代平台将为数据中心、太阳能、电动汽车、家电及工业市场设定新标杆

加利福尼亚州托伦斯，2023年8月22日讯 —纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布将在9月6-8日参加亚洲最负盛名的电力电子展会之一—SEMICON Taiwan，并带来全新的高性能宽禁带半导体平台。

观众们可在展会上探索最新的GaNFast氮化镓功率芯片，其将氮化镓功率器件和驱动、控制、感知和保护集成在一起，带来充电速度更快，功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。

此外，纳微还将展示领先的电源系统平台，能大幅加速客户的研发进程，缩短上市时间，并在能效、功率密度和系统成本上树立新的行业标杆。这些平台包括完整的设计材料，包括经过全面测试的硬件、布局、仿真和硬件测试结果。本次展会将展示的平台如下：

1. 纳微半导体CRPS185数据中心电源平台，能在体积仅40mm×73.5mm×185mm(544cc)的情况下，带来3200W的功率，实现5.9W/cc (接近100W/inch³)的功率密度。相较于传统硅方案缩小40%体积，效率在30%的负载下超过95.6%，在20% ~ 60%的负载下超96%，定义了“钛金Plus”的行业标准；

2. 纳微半导体6.6 kW 3合1 和3kW DC - DC电动汽车双向车载充电机。与竞争对手的方案相比，该效率超96%的OBC的功率密度高50%+，并且在超过95%的效率下，节能高达16%。

在同期举办的SEMICON功率暨光电半导体论坛上，纳微半导体的业务拓展高级总监Charles Bailley将会带来以“GaN Power ICs Increase Power Density in EV Power Systems”为主题的演讲。该演讲将在TaiNEX1的402号会议室举行，时间为台北当地时间9月6日下午两点。

SEMICON Taiwan将于2023年9月6-8日在台北市的南港展览馆TaiNEX1&2号馆举办。

审核编辑：刘清