PD快充必须要知道的几种方案

前言

本文以龙腾MOS管为基础，分享几种PD快充目前最常用最有效的几种拓部结构，与应用方式。

可以帮助到大家更全面的了解PD 快充的原理以及应用技巧。

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一、快充技术背景以及趋势

1.PD快充背景介绍

随着智能电子产品的高速发展，显示越加清晰，像素越来越高，处理器运行速度和内存性能不断提高，这就要求其电池容量更大、能量密度更大、产品小型化、轻量化，最典型的就是手机、平板、笔记本。手机电池的容量基本都达到5000mAh，如此大的容量，对充电速度提出了更高的要求。

2.遵循的原理-俩大技术路径

遵循的原理 是最基本的 P = U × I，快充的两条技术路径如下：

1. 高压小电流：优点是线损小，缺 点是手机端需降压，手机发热严重（仅在黑屏下快充）。

2. 低压大电流：优点是手机端损耗小，可边玩边快充，缺点是线损大，需要改进充电线材及端口。

3.USB type C的演变

4.USB充电器产品类型

5.USB充电器接口

二、PD快充充电器调研

三、PD快充拓扑图以及龙腾对应型号推荐

快充充电器拓扑-1

快充充电器拓扑-2

快充充电器拓扑-3

输出电压变化过程与效率

四、超结MOSFET在PD中应用问题

• 1.辐射——EMI优化器件更受欢迎；
• 2.效率；
• 3.在LLC应用中，体二极管反向恢复问题，开关动作容易引起采样干扰；
• 4.在ACF中，会有大电流冲击，MOSFET会在大电流下关断，考验器件的dv/dt能力；
• 5.某些设计中，待机功耗较大。

五、SGT MOSFET在PD中应用问题

• 1.辐射；
• 2.体二极管反向恢复问题，CCM下容易引起VDS尖峰过高。

嘉瀚芯为龙腾MOS管一级代理服务商。

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